[发明专利]应用于NAND存储器的NFTL数据存储系统及方法有效

专利信息
申请号: 201511030611.1 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN105740162B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 魏巍;皮小军;王大岁 申请(专利权)人: 上海盈方微电子有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 应用于 nand 存储器 nftl 数据 存储系统 方法
【说明书】:

一种应用于NAND存储器的NFTL数据存储系统,包括获取存入/读取/删除/更新数据指令的数据存取接口;操作逻辑/物理区块映射表的逻辑/物理区块映射管理装置;执行数据存入/读取/删除/更新的数据存取装置。其中数据存取装置包括数据存入模块、数据读取模块,以及执行物理区块擦除操作的物理区块擦除模块。该NFTL数据存储系统还包括使空白物理区块增多的物理区块回收装置;该物理区块回收装置含有无效物理页面通知模块。还包括使物理区块擦除次数平衡的物理区块磨损平衡模块。还包括对物理区块进行状态检测,并管理坏块管理表的坏块管理装置。因此提供一种保证NAND存储器的最大使用次数、最大使用效率的NFTL数据存储系统。

技术领域

发明涉及数据存储领域,特别是涉及一种应用于NAND存储器的NFTL数据存储系统。

背景技术

NAND存储器(NAND FLASH)作为一种比较常用的存储介质,目前广泛应用于MID、OTT和MP3这些设备中,具有速度快、空间利用率高和价格便宜等优点。

为了完成从操作系统使用的逻辑区块地址(LBA,Logic Block Address)到存储器使用的物理区块地址(PBA,Physics Block Address)的数据映射,闪存存储器(FLASH)需要闪存转换层(FTL,Flash translation layer)。而NAND存储器就需要NFTL,NAND闪存转换层(NAND Flash Translation Layer)。

由于NAND存储器的一些固有特性:如以物理页面为单位读写、以物理区块为单位擦除,物理区块中有固有坏块,物理区块有擦除次数的限制,导致在使用时要用一些软件策略规避这些问题。

现有的yaffs和ubi文件管理系统应用于NAND存储器时具有内存消耗大、系统稳定性不足等缺点。

因此需要一种能够保证NAND存储器的最大使用次数、最大使用效率的NFTL数据存储系统。

发明内容

本发明提供的一个技术方案如下:

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