[发明专利]一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种多晶COB封装镜面铝基板，属于COB封装技术领域，其技术要点包括以下步骤：(1)线路基板的制备；(2)PP半固化片的制备；(3)镜面铝的准备；(4)铆合；(5)排板；(6)压合；(7)外形制作；本发明旨在提供一种工序较为简化、产品良率较高且生产制作成本较低的多晶COB封装镜面铝基板的制作方法；用于制作多晶COB封装镜面铝基板。

技术领域

本发明涉及一种铝基板制备方法，更具体地说，尤其涉及一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法。

背景技术

COB封装即chip On board，就是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后进行引线键合实现其电气连接。如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，影响或破坏芯片功能，于是就用胶把芯片和键合引线包封起来。人们也称这种封装形式为软包封。而镜面银铝基板是最适合COB封装的原材料。目前，现有的COB封装镜面铝基板的制作方法，需要胶膜假贴到线路基板后->钻基准孔定位->铣固晶区内模->预固化->再将贴好胶膜的线路基板假贴至镜面铝板上->最后再进行压合工序。存在工序繁琐复杂的缺点。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种工序较为简化、产品良率较高且生产制作成本较低的多晶COB封装镜面铝基板的制作方法。

本发明的技术方案是这样实现的：一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，包括以下步骤：(1)线路基板的制备；(2)PP半固化片的制备；(3)镜面铝的准备；(4)铆合；(5)排板；(6)压合；(7)外形制作，其中步骤(2)所述PP半固化片的制备具体为：(a)选材：选用常规FR-4PP或NF-PP的低流胶半固化片；(b)裁剪：将低流胶半固化片按步骤(1)线路基板的尺寸剪切成生产需要的尺寸规格；

(c)固晶区内模图形成型：使用冲床及冲压模具制作裸露图形；裸露的尺寸大于线路板的内模图形，同时制作出定位孔及铆钉孔；

步骤(4)所述铆合具体为：将线路板、PP半固化叠合，并使用热熔机热铆合在一起形成COB板；其铆合参数为：加热温度为180～205℃，加热时间10～30秒。

上述的一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法中：步骤(1)所述线路基板的制备具体为：

(a)开料：将单面覆铜板剪切成生产需要的尺寸规格；

(b)刷板：将覆铜板表面的氧化层及异物抛掉；

(c)涂布感光膜：在覆铜板表面铜箔上均匀涂覆一层感光膜；

(d)预烘：将印好湿膜的覆铜板放置在烘箱中烘烤，温度90～100℃，时间10～15分钟；

(e)曝光：将预先光绘好的线路底片覆盖在预烘后的覆铜板上，用紫外曝光机曝光，能 量设定值为150毫焦；

(f)显影：将一次曝光后的覆铜板经过显影机显影，显影液为重量比1％～3％的无水碳酸钠水溶液，温度为25～35℃，时间为0.5～1分钟；

(g)AOI检验：自动光学检查机检测线路图形的完整性；

(h)蚀刻：用酸性氯化铜蚀刻液将没有被湿膜覆盖的铜层腐蚀掉，保留需要的线路铜箔，蚀刻液的条件：铜含量为120～150g/l，酸量为2～3N，氧化还原电位为300～500mv，温度为40～50℃；

(i)去膜：用浓度为重量比3～5％的氢氧化钠溶液将蚀刻后的线路表面湿膜清除干净；

(j)前处理：可采用刷磨机或喷砂机，将线路基板表面的氧化层抛刷掉；