[发明专利]集成无源器件的框架封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述框架封装结构包括：裸片垫，设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层，设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层，设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层，以及，设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘；所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接；

所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片，所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接；

其中，所述裸片垫、所述金属结构层以及所述第一绝缘介质层形成电容元件；或者是，所述金属结构层设置为线圈结构而形成电感元件；或者是，所述金属结构层采用高电阻率的材料而形成电阻元件。

2.根据权利要求1所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述第二绝缘介质层中设置有金属互连层；

所述金属互连层与所述金属结构层电连接。

3.根据权利要求1所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述金属互连层与所述导电焊盘电连接。

4.根据权利要求1至3任一项所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，当所述裸片垫、所述金属结构层以及所述第一绝缘介质层形成电容元件时，所述裸片垫作为所述电容元件的上极板；所述第一绝缘介质层作为所述电容元件的介质层；所述金属结构层作为所述电容元件的下极板。

5.根据权利要求1所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述金属结构层设置为线圈结构而形成电感元件，或者所述金属结构层采用高电阻率的材料而形成电阻元件时，所述第一绝缘介质层作为所述电阻元件、所述电感元件与所述裸片垫之间的绝缘层。

6.根据权利要求5所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层作为所述电容元件的介质层时，由氮化硅Si₃N₄或二氧化硅SiO₂材料制成；

所述第一绝缘介质层作为所述电阻元件、所述电感元件与所述裸片垫之间的绝缘层时，由聚酰亚胺PI或聚对苯撑苯并二噁唑PBO材料制成。

7.根据权利要求5所述的集成无源器件的框架封装结构，其特征在于，所述至少一个有源芯片的上表面设置有焊盘端，所述焊盘端为金属结构且与所述至少一个有源芯片内部电路电连接；在所述焊盘端与所述导电焊盘之间设置金属连接线，所述至少一个有源芯片的内部电路与所述导电焊盘电连接。

8.一种集成无源器件的框架封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制作引线框架，所述引线框架包括裸片垫和位于裸片垫外围的导电焊盘；

在所述裸片垫下表面设置第一绝缘介质层；

在所述第一绝缘介质层下表面通过电镀工艺形成一层金属导电材料，通过光刻、刻蚀工艺去除多余的金属材料，而形成金属结构层；

在所述金属结构层的下表面通过化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD的工艺淀积形成第二绝缘介质层；

在所述第二绝缘介质层上通过光刻形成过孔，所述过孔穿透所述第二绝缘介质层而与金属结构层接触；在已形成过孔的第二绝缘介质层上，通过电镀工艺形成一层金属导电材料，并使所述金属导电材料填充到所述过孔内而与金属结构层连接，通过光刻刻蚀去除多余的金属导电材料，而在第二绝缘介质的上表面形成金属互连层；

在所述裸片垫上表面设置至少一个有源芯片，并使所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接；

其中，所述裸片垫、所述金属结构层以及所述第一绝缘介质层形成电容元件；或者是，所述金属结构层设置为线圈结构而形成电感元件；或者是，所述金属结构层采用高电阻率的材料而形成电阻元件。

9.根据权利要求8所述的集成无源器件的框架封装结构的制备方法，其特征在于，所述使所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接，包括：

在所述至少一个有源芯片的上表面设置焊盘端，使所述焊盘端为金属结构且与所述至少一个有源芯片内部电路电连接；在所述焊盘端与所述导电焊盘之间设置金属连接线，使所述至少一个有源芯片的内部电路与所述导电焊盘电连接。