[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：

将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；

将所述喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；

将所述生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；

将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；

将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二升温程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷；

其中，

所述第一温度控制程序包括：

以2℃/min的升温速度升温至350～450摄氏度，并保温0.3～0.7小时；

以1℃/min的升温速度升温至500～550摄氏度，并保温0.5～1.5小时；

以5℃/min升温速度升温至1000～1200摄氏度，并保温1～3小时；以及

在所述马弗炉中自然冷却；

所述第二升温程序包括：

以5℃/min的升温速度升温至1600～1700摄氏度，并保温5～15分钟；

以5℃/min的升温速度升温至2000～2200摄氏度，并保温1-3小时；

以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及

在所述烧结炉中自然冷却。

2.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述碳化硅粉末与所述复合粘结剂的质量比为30～50：70～50。

3.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述混炼是在130～150摄氏度的温度下进行。

4.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述脱脂剂为正己烷。

5.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述第一温度控制程序包括：

以2℃/min的升温速度升温至400摄氏度，并保温0.5小时；

以1℃/min的升温速度升温至520摄氏度，并保温1小时；

以5℃/min升温速度升温至1200摄氏度，并保温3小时；以及

在所述马弗炉中自然冷却。

6.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述第二升温程序包括：

以5℃/min的升温速度升温至1600摄氏度，并保温10分钟；

以5℃/min的升温速度从1600摄氏度升温至2000摄氏度，并保温2小时；

以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及

在所述烧结炉中自然冷却。

7.一种多孔碳化硅陶瓷，其特征在于，所述多孔碳化硅陶瓷由权利要求1-6任一项所述的方法制备得到。