[发明专利]一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法

权利要求书

1.一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于，在双面抛光的衬 底两面利用氢化物气相外延(HVPE)系统同时生长氮化镓外延膜。

2.如权利要求1所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 将托盘上原本水平放置的衬底通过支架倾斜静置在托盘上。

3.如权利要求1所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 在生长炉内竖直放置衬底。

4.如权利要求3所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 为了使衬底竖直放置，设计了样品夹持器具，该器具包括基座和夹持部，基座用 于放置于外延系统内的托盘上，所述基座通过其立柱撑起的夹持部的基部，所述 夹持部还包括开口的夹持片。

5.如权利要求4所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 所述夹持部，增加旋转驱动部件和动力源，使得衬底在夹持部上能在竖直状态下 旋转。

6.如权利要求4所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 所述夹持部，增加旋转驱动部件和动力源，使得夹持部带着衬底“一体式”竖直 状态地整体旋转。

7.如权利要求4所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 所述样品夹持器具还包括扇叶，扇叶与夹持部两者共轴或者同轴，基座通过其立 柱撑起扇叶与夹持部。

8.如权利要求4至7任一所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特 征在于，所述夹持部设计成外凸的弧形夹子。

9.如权利要求4至8任一所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特 征在于，所述扇叶与夹持部两者处于异侧，两者的轴安装于立柱顶部，使衬底在 夹持部上保持竖直悬空状态。

10.如权利要求1所述的异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于， 具体方法为：

(1)先取双面抛光的衬底的任意一面，平放于托盘上，在上层生长氮化 铝(AlN)形核生长层；

(2)将步骤(1)所得的衬底倒置一下，在同样条件和生长参数下对另一 面进行氮化铝形核生长层，从而完成预外延的准备步骤；

(3)在步骤(2)所得的衬底在保持竖直状态，其两面上同时进行外延生 长，获得对称分布的两个GaN外延膜。