[发明专利]一种有机电致发光显示装置及其制备方法在审
申请号: | 201511032464.1 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105428392A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 辛龙宝;江元铭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示装置 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及到显示装置的技术领域,尤其涉及到一种有机电致发光显示装置及其制备方法。
背景技术
AMOLED显示屏由于OLED电流驱动的特征,在Pixel设计上原本就带有多个TFT及多电容的设计,另外对应高开口率的需求,顶发射Pixel的设计也在高端产品升呈现,对应此面板规格的提高就日渐重要,所以Pixel设计的提升已是一大挑战。
为了改善OLEDshort的risk。利用Pixeldefinedlayer填补原先Viahole金属爬坡的结构已是量产必须的工艺,但反而降低开口率。
发明内容
本发明提供了一种有机电致发光显示装置及其制备方法,用以提高有机电致发光显示装置的显示效果。
本发明提供了一种有机电致发光显示装置,该有机电致发光显示装置包括包括基板,以及设置在所述基板上的多个第一薄膜晶体管;且至少一个第一薄膜晶体管上设置有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的漏极连接有透明电极层,所述透明电极层用于发射白光;还包括,
微腔结构,所述微腔结构包括层叠设置的第一反射层、第一透明电极及第二透明电极;其中,
所述第一反射层与所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置;
所述第一透明电极与所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置;
所述第二透明电极与所述第二薄膜晶体管的透明电极层同层设置。
在上述技术方案中,通过在第一薄膜晶体管上形成第二薄膜晶体管,且在第二薄膜晶体管上形成能够发射出白光的透明电极层,从而使得原来有机电致发光显示装置中的非显示区域变成显示区域,从而提高了有机电致发光显示装置的开口率,进而提高了有机电致发光显示装置的显示效果。
优选的,所述有机电致发光显示装置具有发光单元,且所述发光单元为与所述微腔结构相对应的红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元以及与所述透明电极层对应的白色发光单元。
优选的,所述发光单元是白光加红绿蓝彩膜形成的红绿蓝色发光单元。
优选的,还包括设置在所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间的第一钝化层,且该第一钝化层设置有第一过孔,且所述透明电极层垂直投射在所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上的投影覆盖所述第一过孔。提高了开口率。
优选的,还包括设置在所述基板上的电容,且所述透明电极层垂直投射在所述电容的设置平面上的投影覆盖所述电容。提高了开口率。
优选的,还包括设置在所述第二薄膜晶体管上的第二钝化层,且所述第二钝化层上设置有第二过孔,所述透明电极层穿过所述第二过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
本发明还提供了一种有机电致发光显示装置的制备方法,该方法包括以下步骤:
在基板上形成第一薄膜晶体管;
在第一薄膜晶体管上形成第二薄膜晶体管的栅极,并在形成所述栅极时,采用一次构图工艺形成微腔结构的第一反射层;
形成第二薄膜晶体管的有源层,并在形成所述有源层时,采用一次构图工艺形成微腔结构的第一透明电极;
在所述有源层上形成源极和漏极;
形成透明电极层,且形成的透明电极层与所述漏极连接,并在形成所述透明电极层时,采用一次构图工艺形成微腔结构的第二透明电极。
在上述技术方案中,通过在第一薄膜晶体管上形成第二薄膜晶体管,且在第二薄膜晶体管上形成能够发射出白光的透明电极层,从而使得原来有机电致发光显示装置中的非显示区域变成显示区域,从而提高了有机电致发光显示装置的开口率,进而提高了有机电致发光显示装置的显示效果。
优选的,还包括:
在第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成过孔,且所述透明电极层在所述栅极绝缘层上的垂直投影覆盖所述过孔。提高了开口率。
优选的,还包括电容,所述电容的一个极板与所述第一薄膜晶体管的栅极或源极同层设置,另一个极板与位于所述第一薄膜晶体管上方的第二薄膜晶体管的栅极同层设置;其中,所述透明电极层在所述电容的设置平面上的投影覆盖所述电容。提高了开口率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的有机电致发光显示装置的剖视图;
图2a~图2e为本发明实施例提供的有机电致发光显示装置的制备流程图。
附图标记:
10-基板20-第一薄膜晶体管30-第二薄膜晶体管
31-栅极32-有源层33-源极
34-漏极35-透明电极层36-像素定义层
37-第一过孔40-微腔结构41-第一反射层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的