[发明专利]小功率超低光衰半导体光源

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，具体讲是一种小功率超低光衰半导体光源。

背景技术

目前半导体光源的结构多种多样，半导体光源又称为LED光源，一般包括芯 片、支架，3V的常规半导体光源已经较为普遍，而向6V、9V、12V、18V等相对 高压的半导体光源的研究成为了目前的主流趋势，如何设计适用于较高温度环境 下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的半导体光源成为各厂家争相研究的 方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺陷，提供一种适用于较高 温度环境下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的6V的小功率超低光衰半导 体光源。

为解决上述技术问题，本发明提出一种小功率超低光衰半导体光源，它包括 支架和矩形的3V芯片，支架为以日字形金属框为骨架并在骨架表面包覆有PPA 塑料的框架，金属框包括第一日字部分和第二日字部分，第一日字部分的下端面 和第二日字部分的上端面连接，金属框横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为 第一日字部分，该倒T形的横向部分为第二日字部分，框架的第一口部设有第一 铜片，框架的第二口部设有第二铜片，第一铜片插入PPA塑料中的周边部分、第 二铜片插入PPA塑料中的周边部分均位于金属框上方，第一铜片表面经导热胶粘 接有两个3V芯片，两个3V芯片与第一铜片表面粘接的背面均镀有铝层，两个 3V芯片分别为第一3V芯片、第二3V芯片，两个3V芯片沿框架的宽度方向依序 分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的长度方向一致，第一3V芯片、第二 3V芯片上下对称分布，第一口部内上边缘与第一3V芯片上边缘之间的间距、第 二3V芯片下边缘与第一口部内下边缘之间的间距相等，第一3V芯片下边缘与第 二3V芯片上边缘之间的间距大于第一口部内上边缘与第一3V芯片上边缘之间的 间距，第一口部内左边缘与第一3V芯片左边缘之间的间距、第一3V芯片右边缘 与第一口部内右边缘之间的间距相等；第一铜片、第一3V芯片、第二3V芯片、 第二铜片通过焊线依序电连接。

采用上述结构后，与现有技术相比，本发明具有以下优点：上述结构为一个 综合性设计，矩形的3V芯片的输入电压为3V，再将两个3V芯片串联使得输入 电压达到6V，两个3V芯片的分布结构在芯片数量较少时仍然尽量实现了光照的 均匀性，两个3V芯片与第一铜片表面粘接的背面均镀有铝层，粘接用导热胶粘 接，从而将芯片的热量快速传导至所安装的铜片，铜片将一部分热量传导至四周 连接的PPA塑料，再由PPA塑料向外传导，倒T形金属框结构强度高，使得整个 框架结构稳定，且能够增强导热，导热效率高，并能够引导热量往PPA塑料下部 走，以远离芯片，此番散热设计，在长期持续使用中，能够极大地避免散热不畅 导致芯片光衰较大的问题，使其具有小功率超低光衰特点，同时上述设计还考虑 到散热对芯片的稳定性可靠性的影响、热胀冷缩对焊线的影响等问题，即一方面， 能够使焊线尽量远离3V芯片的发光区，避免焊线较多的挡住发光区，从而更有 利于发光，另一方面，上述方案对芯片的布局能够实现将电连接两3V芯片之间 的焊线做成倾斜分布的长度较长的弧线，从而使焊线具有更好的拉伸承受能力， 在振动环境、热胀冷缩环境中都不容易断裂，具有高可靠性，因此综合获得一种 适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的6V的小功率超 低光衰半导体光源。

作为改进，各3V芯片的负极和正极均为对角线设置，其中，负极位于3V 芯片的左上角，这样，能够使焊线尽量远离3V芯片的发光区，避免焊线较多的 挡住发光区，从而更有利于发光。

作为改进，第一口部大于第二口部，这样，第一铜片面积更大，更方便布置 第一3V芯片、第二3V芯片和制作焊线，同时散热更好。

附图说明

图1为本发明小功率超低光衰半导体光源的俯视图。

图2为本发明小功率超低光衰半导体光源的A-A向剖视图。

图3为本发明小功率超低光衰半导体光源的日字形金属框的俯视图。

图4为本发明小功率超低光衰半导体光源的日字形金属框的B-B向剖视放 大图。

图中所示，1.1、第一3V芯片，1.2、第二3V芯片，2、金属框，2.1、第 一日字部分，2.2、第二日字部分，3、PPA塑料，4、第一铜片，5、第二铜片， 6、焊线，7、负极，8、正极。

具体实施方式

下面对本发明作进一步详细的说明：