[发明专利]一种混频器优化电路

权利要求书

1.一种混频器优化电路，其特征在于，包括：有源混频器电路和偏置优化电路；

所述有源混频器电路完成输入信号与本振信号LO在电流域的相乘，通过所述有源混频器的负载将变频后的电流转换为电压；

所述偏置优化电路从有源混频器电路的尾电流上实现镜像，所述偏置优化电路中包括一个和有源混频器电路的LO输入管匹配的MOS管M8，所述MOS管M8在检测到所述有源混频器电路中MOS管阈值电压Vth发生变化时，所述MOS管M8的栅极电压随Vth的变化而变化，以保证所述有源混频器电路的LO输入管的直流电压偏置处在最优值，其中，所述有源混频器电路的LO输入管包括MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6，所述MOS管M8的栅极分别与所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的栅极连接；所述镜像电流随着有源混频器电路尾电流的大小成比例的变化，从而在所述有源混频器电路尾电流变大时MOS管M8流过的所述镜像电流增大，MOS管M8的栅极电压将会自动上升，从而由MOS管M8控制MOS管M3-M6的栅极偏置上升，使得MOS管M3-M6的过驱动电压动态的进行了调整；所述有源混频器电路尾电流减小时MOS管M8流过的所述镜像电流减小，MOS管M8栅极电压降低，从而由MOS管M8控制MOS管M3-M6栅极偏置下降，MOS管M3-M6的过驱动电压被降低。

2.根据权利要求1所述混频器优化电路，其特征在于，所述偏置优化电路包括电流镜单元，所述电流镜单元包括MOS管M0、MOS管M7、MOS管M10、MOS管M11；其中，所述MOS管M0的源极接地GND，漏极接MOS管M1和MOS管M2的源极，为所述有源混频器电路提供尾电流，栅极接所述电流镜单元中所述MOS管M7的栅极；所述MOS管M7的源极接地，漏极接所述MOS管M10的漏极，栅极接所述有源混频器电路中所述MOS管M0的栅极；所述MOS管M10的源极接所述有源混频器电路的电源VDD，栅极接所述MOS管M11的栅极；所述MOS管M11的源极接所述有源混频器电路的电源VDD，漏极接所述MOS管M8的漏极。

3.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述有源混频器电路的负载为以下任意串并联的组合：负载电阻RL、负载电容CL和负载电感L。

4.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述有源混频器电路中LO输入管的栅极直流电位由电阻R1和电容C1进行偏置。

5.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述有源混频器电路的信号输入管M1的漏极和信号输入管M2的漏极的电阻R2大小相等。

6.根据权利要求2所述混频器优化电路，其特征在于，所述MOS管M10与所述MOS管M11是尺寸任意的电流镜结构。

7.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述偏置优化电路中所述MOS管M8流过电流为所述有源混频器电路的尾电流的k倍，k为大于0的实数。

8.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述MOS管M8的尺寸为所述有源混频器电路中所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6的4k倍。

9.根据权利要求1或2所述混频器优化电路，其特征在于，所述偏置优化电路中的比较器OP是一个运放，所述比较器OP使得所述MOS管M8的源极电位与所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6的源极电位相等。