[发明专利]一种混频器优化电路有效

专利信息
申请号: 201511033934.6 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN106911306B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 孙志刚;李罗生 申请(专利权)人: 深圳华大北斗科技有限公司
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518129 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 混频器 优化 电路
【权利要求书】:

1.一种混频器优化电路,其特征在于,包括:有源混频器电路和偏置优化电路;

所述有源混频器电路完成输入信号与本振信号LO在电流域的相乘,通过所述有源混频器的负载将变频后的电流转换为电压;

所述偏置优化电路从有源混频器电路的尾电流上实现镜像,所述偏置优化电路中包括一个和有源混频器电路的LO输入管匹配的MOS管M8,所述MOS管M8在检测到所述有源混频器电路中MOS管阈值电压Vth发生变化时,所述MOS管M8的栅极电压随Vth的变化而变化,以保证所述有源混频器电路的LO输入管的直流电压偏置处在最优值,其中,所述有源混频器电路的LO输入管包括MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6,所述MOS管M8的栅极分别与所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的栅极连接;所述镜像电流随着有源混频器电路尾电流的大小成比例的变化,从而在所述有源混频器电路尾电流变大时MOS管M8流过的所述镜像电流增大,MOS管M8的栅极电压将会自动上升,从而由MOS管M8控制MOS管M3-M6的栅极偏置上升,使得MOS管M3-M6的过驱动电压动态的进行了调整;所述有源混频器电路尾电流减小时MOS管M8流过的所述镜像电流减小,MOS管M8栅极电压降低,从而由MOS管M8控制MOS管M3-M6栅极偏置下降,MOS管M3-M6的过驱动电压被降低。

2.根据权利要求1所述混频器优化电路,其特征在于,所述偏置优化电路包括电流镜单元,所述电流镜单元包括MOS管M0、MOS管M7、MOS管M10、MOS管M11;其中,所述MOS管M0的源极接地GND,漏极接MOS管M1和MOS管M2的源极,为所述有源混频器电路提供尾电流,栅极接所述电流镜单元中所述MOS管M7的栅极;所述MOS管M7的源极接地,漏极接所述MOS管M10的漏极,栅极接所述有源混频器电路中所述MOS管M0的栅极;所述MOS管M10的源极接所述有源混频器电路的电源VDD,栅极接所述MOS管M11的栅极;所述MOS管M11的源极接所述有源混频器电路的电源VDD,漏极接所述MOS管M8的漏极。

3.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述有源混频器电路的负载为以下任意串并联的组合:负载电阻RL、负载电容CL和负载电感L。

4.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述有源混频器电路中LO输入管的栅极直流电位由电阻R1和电容C1进行偏置。

5.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述有源混频器电路的信号输入管M1的漏极和信号输入管M2的漏极的电阻R2大小相等。

6.根据权利要求2所述混频器优化电路,其特征在于,所述MOS管M10与所述MOS管M11是尺寸任意的电流镜结构。

7.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述偏置优化电路中所述MOS管M8流过电流为所述有源混频器电路的尾电流的k倍,k为大于0的实数。

8.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述MOS管M8的尺寸为所述有源混频器电路中所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6的4k倍。

9.根据权利要求1或2所述混频器优化电路,其特征在于,所述偏置优化电路中的比较器OP是一个运放,所述比较器OP使得所述MOS管M8的源极电位与所述MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6的源极电位相等。

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