[发明专利]基于移相控制的两电容SCC拓扑结构

权利要求书

1.一种基于移相控制的两电容SCC拓扑结构，其特征在于，包括：第一电容(C₁)、第二电容(C₂)、第一开关管(S₁)和第二开关管(S₂)；

第一电容(C₁)的正极和第二电容(C₂)的正极相连接；第一电容(C₁)的负极和第一开关管(S₁)的漏极连接，第二电容(C₂)的负极与第二开关管(S₂)的源极连接；第一开关管(S₁)的源极和第二开关管(S₂)的漏极相连接；通过改变两电容SCC拓扑结构驱动信号的移相角ɑ大小控制第一开关管(S₁)和第二开关管(S₂)的导通时间，以改变流过第一电容(C₁)的电流i_c1值和第二电容(C₂)的电流i_c2，从而控制两电容SCC拓扑结构的等效电容；第一开关管(S₁)和第二开关管(S₂)的导通时间相差半个周期。

2.根据权利要求1所述的基于移相控制的两电容SCC拓扑结构，其特征在于，所述第一电容(C₁)和第二电容(C₂)的电容值相等，所述第一电容(C₁)的结构和第二电容(C₂)的结构互相对称；所述两电容SCC拓扑结构等效电容值与电容一个周期内的电荷量Q成正比，所述SCC等效电容C_eq的计算公式为：

Ceq=ΔQC1Qc1C1+ΔQC2Qc2C2=(1-cos(38π+α2)).C;]]>

其中，为第一电容(C₁)在正常同等条件完整半个周期下的电荷量，为第一电容(C₁)在两电容SCC拓扑结构中半个周期的电荷量；Q_c2为第二电容(C₂)在正常同等条件完整半个周期下的电荷量，ΔQ_c2为第二电容(C₂)在两电容SCC拓扑结构中半个周期的电荷量。

3.根据权利要求1所述的一种基于移相控制的两电容SCC拓扑结构，其特征在于，所述第一开关管(S₁)和第二开关管(S₂)的控制方法采用恒定频率移相控制，即控制第一开关管(S₁)和第二开关管(S₂)的驱动信号频率都为固定值。