[发明专利]基于太赫兹波反射式成像的缺血脑组织的检测装置及方法

说明书

技术领域

本发明属于生物医学成像领域，具体的说，是涉及一种基于太赫兹波反射式成像的缺血脑组织的检测装置及方法。

背景技术

缺血性脑卒中是威胁全球人类健康的主要疾病之一，占全部脑卒中患者的60～70％，具有较高的发病率、致残率和死亡率。脑缺血是指因脑血流量下降而引起的脑细胞功能和形态学上的改变，只有当脑血流量下降达一定水平和持续一定时间后，脑组织才会发生缺血改变。各种原因引起的脑血流量下降均可使细胞缺氧，脑缺氧能量代谢障碍直接抑制质膜上钠/钾ATP酶的活性，钾离子大量外流；钙离子、氯离子和钠离子向细胞内流入和聚集，形成细胞内高渗状态，大量水份进入细胞内，引起细胞外间隙缩小，细胞肿胀(细胞毒性水肿)。此时血脑屏障未开放,数小时后组织细胞出现缺血坏死。5至6小时后血管内皮细胞损伤，导致血脑屏障破坏，蛋白质通透性增加，离子通透性也大大增加，组织间隙水份聚集，形成血管源性水肿，组织总含水量逐渐增加，此时脑缺血损伤已向不可逆方向发展。因此，早期诊断及治疗是非常重要的,而辨别某区域脑组织缺血与否以及缺血严重程度可以为临床治疗提供诊断依据和手术决策依据。

目前，对于急性脑缺血最有效、最有前途的治疗方法之一是在超急性期(<6h)进行溶栓治疗，但是溶栓时机若选择不当，不仅会引起出血性脑梗死，而且再灌注损伤会加重局部脑组织缺氧，加重病情，甚至加速病人死亡。因此，寻找一种能早期确定病灶部位与范围的方法显得极为重要。但现阶段使用医院传统的医学成像检测方法，如：CT、MRI等成像方法，检查缺血脑组织需要在发病6小时以后才能显示缺血病灶，并且还无法确定缺血半暗带的范围、缺血的程度和准确的反应病变部位。因此需要寻找一种新的能够尽早准确的反映脑缺血组织的病变部位、病灶大小及缺血半暗带的生物医学成像技术。这对于早期脑组织缺血的病理分析研究和实现早期诊断，最大程度的减少缺血坏死的范围和保护正常的脑组织的研究具有重大的实际意义。

太赫兹(Terahertz，简称THz，1THz＝10¹²Hz)波段是指频率从100GHz到10THz，相应的波长从3毫米到30微米，介于毫米波与红外光之间频谱范围相当宽的电磁波谱区域。由于该频段是宏观电子学向微观光子学过渡的频段，具有很多独特的性质，特别是由于很多生物大分子的振动和转动频率均落于太赫兹波段，物质在太赫兹波波段的发射、反射和透射光谱中包含了丰富的物理和化学信息，并且太赫兹波的光子能量低(1THz的电磁波的光子能量只有约4meV)，其远远小于X射线的能量，不会对生物大分子、生物细胞和组织产生有害的电离，特别适合于对生物组织进行活体检查。此外，太赫兹波对水分子非常敏感，不仅能够有效地检测到水溶液里离子之间的协同性以及蛋白质的水化作用，而且对生物组织的水分变化更是具有高灵敏度。这有可能使太赫兹波非常适用于生物组织的水分及相关成分变化检测，进而区别生物体的健康组织和病态组织或识别。同时，其对生物特征细胞密度及其排列较为敏感。因此，太赫兹波成像技术在实时生物信息提取、生物组织活体检查、医学成像以及医学诊断等领域有着极大的应用前景与应用价值。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种基于太赫兹波反射式成像的缺血脑组织的检测装置，本发明装置通过对各光学元器件的不同摆放实现对太赫兹波的控制和探测，装置整体布局合理，结构紧凑，测量精度高，操作简单；本发明的另一目的是利用上述检测装置提供一种能够及时准确的反映脑缺血组织的病变部位、病灶大小及缺血半暗带的缺血脑组织的检测方法，采用该检测方法对缺血脑组织成像，可以实现在脑缺血发生2小时后，准确的反映脑缺血组织的病变部位、病灶大小及缺血半暗带。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

基于太赫兹波反射式成像的缺血脑组织的检测装置，包括太赫兹源、数据采集卡和计算机，所述太赫兹源发射的太赫兹波入射到与所述太赫兹波成45°角的金属线栅，所述太赫兹波的一部分经所述金属线栅反射后入射至与所述数据采集卡输入端相连接的第一太赫兹探测器；

所述太赫兹波的另一部分经金属线栅透射后依次经过第一镀金膜反射镜、第二镀金膜反射镜和第三镀金膜反射镜，经第三镀金膜反射镜反射后的太赫兹波以30°—60°的角度入射至第一太赫兹透镜，经所述第一太赫兹透镜透射后的太赫兹波被用于放置脑组织样品的二维移动平台反射后入射至第二太赫兹透镜，经第二太赫兹透镜透射后的太赫兹波入射至与数据采集卡输入端相连接的第二太赫兹探测器；

所述计算机接收所述数据采集卡采集到的数据及所述二维移动平台的移动信息。