[发明专利]一种粗糙化不可见光全角度发光二级管及其制作方法

权利要求书

1.一种粗糙化不可见光全角度发光二极管，其特征在于：所述发光二 极管的侧壁、生长基板均进行粗化处理，且其背电极进行图形化处理。

2.如权利要求1所述的粗糙化不可见光全角度发光二极管，其特征在 于：从上到下依次包括N电极、N型层、阱区、P型层、生长基板以及P背 电极；所述N型层、阱区、P型层、生长基板的侧壁进行粗化处理；所述生 长基板的底部进行粗化处理；所述P背电极进行图形化处理。

3.如权利要求1所述的粗糙化不可见光全角度发光二极管，其特征在 于：从上到下依次包括P电极、P型层、阱区、N型层、生长基板以及N背 电极；所述P型层、阱区、P型层、生长基板的侧壁进行粗化处理；所述生 长基板的底部进行粗化处理；所述N背电极进行图形化处理。

4.如权利要求1～3任一项所述的粗糙化不可见光全角度发光二极管， 其特征在于：所述生长基板为GaAs或GaP。

5.一种制备如权利要求1～4任一项所述的粗糙化不可见光全角度发光 二极管的方法，其特征在于：包括如下步骤，

1)选取一发光二极管半成品，其红外光发光部从上到下依次为N型层 或P型层、阱区、P型层或N型层，且在发光部的底部设有生长基板；

2)以蒸镀法制作N电极或P电极后，将部份生长基板研磨至厚度为 100-500μm,接着利用湿式化学蚀刻法将生长基板粗糙化；

3)以蒸镀法制作P背电极或N背电极后,切割芯粒之后进行侧壁粗化；

4)通过黄光微影技术与化学湿蚀刻法完成图形化P背电极或N背电极。

6.如权利要求5所述的粗糙化不可见光全角度发光二极管的制备方法， 其特征在于：所述步骤2)中，按照如下配比调制生长基板粗糙化的化学溶 液，以质量百分比计，由以下成分组成：NH₄OH20-40％；H₂O₂18-35％。

7.如权利要求5所述的粗糙化不可见光全角度发光二极管的制备方法， 其特征在于：所述步骤3)中，按照如下配比调制侧壁粗糙化化学溶液，以 质量百分比计，由以下成分组成：HNO₃38-80％；BOE24-46％。