[发明专利]硅基光伏太阳能电池的恢复方法

权利要求书

1.光伏元件(10)的针对光致退化的处理方法，其至少包括以下步骤：

-提供所述元件(10)，其包括在表面处设置有至少一个发射区(1E)的硅基 基板(1)；

-在将基板(1)保持在包括在20℃和230℃之间且优选地在50℃和230℃ 之间的温度范围内的温度下的同时，在基板(1)中产生载流子；

特征在于，在载流子产生步骤期间使基板(1)经历磁场(B)，磁场(B)具有 与发射区(1E)和基板(1)之间的界面(24)基本上平行的分量(Bc)，

和特征在于，磁场(B)的分量(Bc)具有包括在10^-4T和5×10^-1T之间且有 利地大于10^-3T的强度。

2.根据权利要求1的方法，特征在于载流子产生步骤是通过基板(1)的 照射获得的。

3.根据权利要求2的方法，特征在于，使用具有大于或者等于500nm 和优选大于或等于800nm，且低于或等于1300nm和优选低于或等于1000nm 的光获得该照射。

4.根据权利要求1的方法，特征在于：

-基板(1)由具有包括在4.0×10¹⁴原子/cm^-3和7.0×10¹⁶原子/cm^-3之间的浓 度的硼掺杂的硅制成；和

-光伏元件(10)的以秒计的处理时间(t)大于或者等于：

C1*((C2+1-C21+(Bc0.0169)1.7352)*I)C3*eC4/T]]>

其中：

-T对应于基板(1)的以开尔文计的温度；

-B_c对应于磁场(B)的所述分量(Bc)的以特斯拉计的强度；

-I对应于投射到基板(1)的表面(1a)上的辐射的以太阳计的辐照度；

-C₁对应于包括在1.3×10^-5和3.2×10^-5之间且优选等于1.7×10^-5的第一常 数；

-C₂对应于包括在1.00和32.0之间且优选等于4.32的第二常数；

-C₃对应于包括在-1.00和-2.00之间且优选等于-1.62的第三常数；

-C₄对应于包括在6562和8523之间且优选等于7500的第四常数。