[实用新型]一种高亮度的聚光型发光二极管有效

专利信息
申请号: 201520001012.6 申请日: 2015-01-04
公开(公告)号: CN204289521U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 袁志贤 申请(专利权)人: 袁志贤
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60
代理公司: 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 代理人: 田志远
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 亮度 聚光 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种高亮度的聚光型发光二极管,包括二极管芯片、基座和壳体,其特征在于,所述基座呈“凸”字形结构,所述二极管芯片安装于所述基座上,所述二极管芯片的P极通过导线连接第一基片,第一基片下端设有第一引脚,所述二极管芯片的N极通过导线连接第二基片,第二基片下端设有第二引脚;

所述二极管芯片和导线外侧设有透明的绝缘胶层;

所述壳体设置与第一基片和第二基片上端,所述壳体与所述基座、第一基片、第二基片围绕形成倒置碗状的聚光腔,所述二极管芯片位于聚光腔的中央部位,所述壳体的内侧设有一圈反射膜,其上端透光处设有透光膜。

2.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管,其特征在于,所述第一基片和所述第一引脚为一体式结构。

3.根据权利要求2所述的一种高亮度的聚光型发光二极管,其特征在于,所述第一基片和所述第一引脚呈“┍”形,设置于所述基座左侧。

4.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管,其特征在于,所述第二基片和所述第二引脚为一体式结构。

5.根据权利要求4所述的一种高亮度的聚光型发光二极管,其特征在于,所述第二基片和所述第二引脚呈“┑”形,设置于所述基座右侧。

6.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管,其特征在于,所述聚光腔上端设有圆柱形的透光孔。

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