[实用新型]一种零颗粒缺陷传输腔有效
申请号: | 201520004996.3 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN204348697U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 卢盈;梁富堂;朱红霞 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 颗粒 缺陷 传输 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域,尤其涉及一零颗粒缺陷传输腔。
背景技术
随着晶圆制造技术的飞速发展,人们对集成电路集成度、小型化、高性能的要求越来越高。
晶圆的制造过程极其精细化,单片晶圆产品的价值也越来越高;晶圆制作的工序极其复杂,晶圆的生产过程是以纳米级别来定义缺陷和性能的,当晶圆的表面上有粒子缺陷时会严重影响晶圆的性能和品质。
因此,对于零缺陷的追求一直是晶圆制造工艺的终极目标。目前业界通常采用洗刷(Scrubber)几台来去除晶圆上的表面颗粒缺陷。
然而,几乎每次沉积一层薄膜后,都需要经过洗刷机台进行表面冲洗,大大增加了晶圆制造的成本。此外,如果洗刷机台也受到污染,那么采用该机台清洗的晶圆产品都会存在风险,这样就会影响到线上所有的产品,为晶圆缺陷和不良引入了新的潜在诱因。
可见,在现有技术中,并没有一种能够彻底解决晶圆表面颗粒缺陷又节省成本的工艺设备和工艺方式。
实用新型内容
鉴于上述问题,本实用新型提供一种零颗粒缺陷传输腔。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案为:
一种零颗粒缺陷传输腔,其中,包括:
传输腔体,所述传输腔体的顶部和底部分别设置有第一开口和第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的正下方;
第一抽气泵,设置于所述第一开口处,所述第一抽气泵的泵口向下;
载物台,设置于所述传输腔体内,且所述载物台的中央位置设有若干通孔;
第一导管,设置于所述若干通孔的正下方,所述第一导管的两端分别与所述载物台和所述第二开口密封连接;以及
第二抽气泵,设置于所述第二开口处,所述第二抽气泵的泵口向上。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,还包括一升降台,所述升降台设置于所述载物台的下方;
至少三个支撑柄挂设于所述载物台上,所述支撑柄的底部位于所述升降台和所述载物台之间。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,还包括一吸尘面板,所述吸尘面板中设置有若干个贯穿孔,所述吸尘面板设置于所述第一开口与所述载物台之间;
所述吸尘面板的四周通过第一密封圈和螺钉实现与所述第一开口密封连接。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,还包括第二导管,所述第二导管设置于所述第一开口的上方;
所述第二导管一端的四周通过第二密封圈和所述螺钉实现与所述第一开口之间密封连接;
所述第二导管的另一端与所述第一抽气泵的泵口密封连接。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,还包括第一稳定气体源和第二稳定气体源,所述第一稳定气体源与所述传输腔体的外壁连接,所述第二稳定气体源与所述第二开口连接。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,所述第一稳定气体源和所述第二稳定气体源中均包含有氮气。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,所述载物台与一升降支撑轴连接,所述升降支撑轴由一马达驱动。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,所述升降台由一马达驱动。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,还包括第一压力计和第二压力计,所述第一压力计与所述传输腔体连接,所述第二压力计与所述第二开口连接。
所述的零颗粒缺陷传输腔,其中,所述升降台为环状板,且环绕所述第一导管设置。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
本实用新型的零颗粒缺陷传输腔将晶圆表面颗粒清除的作用直接集成在传输腔中,无需增加新的机台,从而使得操作简单并且成本低廉;同时由于省去了将晶圆传输至洗刷机台的操作,使得晶圆表面颗粒清除的耗时得以减小;此外,由于可以选择在单一机台上也可以在每个工序的机台上都进行安装,具有灵活性好的优点;另外,因为不需要额外新增加机台,从而使得工艺风险小,即使一个机台传输腔受到污染,也只会影响经过此台传输腔的晶圆产品,并会影响到生产线上其他工序产品。
附图说明
参考所附附图,以更加充分的描述本实用新型的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本实用新型范围的限制。
图1是本实用新型零颗粒缺陷传输腔的剖面结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供了一种零颗粒缺陷传输腔,主要包括传输腔体1、载物台2、第一导管3、第一抽气泵4和第二抽气泵5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司;,未经武汉新芯集成电路制造有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520004996.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造