[实用新型]金属键合对准监控结构有效
| 申请号： | 201520009969.5 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204315526U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈政;刘煊杰;张海芳;包德军;李新;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属键 对准 监控 结构 | ||
1.一种金属键合对准监控结构，其特征在于，包括：
多个第一对准标记块，所述多个第一对准标记块均匀分布于一第一硅片的上表面；以及
至少一个第二对准标记块，所述第二对准标记块位于一第二硅片上表面；
所述第一硅片和第二硅片键合在一起，其中，所述第一硅片的上表面面向所述第二硅片的上表面；
所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为导电对准块。
2.如权利要求1所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，每个所述第一对准标记块与所述第二对准标记块均通过一导线与一监控测试板连接。
3.如权利要求1所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，一个所述第二对准标记块位于所述第二硅片上表面的中心。
4.如权利要求1所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为金属对准块。
5.如权利要求1所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述第一对准标记块的个数为九个。
6.如权利要求1所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，每两个相邻第一对准标记块之间的间隔宽度相等。
7.如权利要求6所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，每两个相邻第一对准标记块之间的间隔宽度在0.5um～4um之间。
8.如权利要求7所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块的横截面均为正方形。
9.如权利要求8所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述多个第一对准标记块横截面的边长与所述第二对准标记块横截面的边长相等。
10.如权利要求9所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块的横截面的边长均在0.5um～15um之间。
11.如权利要求8所述的金属键合对准监控结构，其特征在于，所述第二对准标记块的横截面的边长大于相邻的第一对准标记块之间的间隔宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
