[实用新型]高电压直流取电电路有效

专利信息
申请号: 201520010357.8 申请日: 2015-01-07
公开(公告)号: CN204290697U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 孔令冲;张群;孟昭鹤 申请(专利权)人: 北京天诚同创电气有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 北京金律言科知识产权代理事务所(普通合伙) 11461 代理人: 逯博;杨艳云
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电压 直流 电路
【权利要求书】:

1.一种高电压直流取电电路,其特征在于,包括:

高频隔离变压器、供电回路、输出整流二极管、续流二极管以及依次串联的磁复位回路、第一MOS晶体管和第二MOS晶体管;

所述磁复位回路并联在所述高频隔离变压器的一次侧;所述高频隔离变压器的一次侧的高压端为所述高电压直流取电电路输入端的高压端;所述第二MOS晶体管的源极为所述高电压直流取电电路输入端的低压端;

所述供电回路与所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管连接,用于向所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管提供驱动脉冲;

所述高频隔离变压器的二次侧连接所述输出整流二极管和续流二极管,所述续流二极管两端为所述高电压直流取电电路的电压输出端。

2.根据权利要求1所述的高电压直流取电电路,其特征在于,所述供电回路具体包括:启动供电单元、自供电单元、脉冲控制回路;

所述启动供电单元、所述自供电单元的输出端分别与所述脉冲控制回路的输入端连接;且分别还与所述第一MOS晶体管的栅极相连接。

3.根据权利要求2所述的高电压直流取电电路,其特征在于,还包括:第一导通二极管和第一稳压二极管;

所述启动供电单元、所述自供电单元的输出端分别与所述第一导通二极管的正极连接,所述第一导通二极管的负极与所述第一MOS晶体管的栅极连接;

所述第一稳压二极管的正极与所述第一MOS晶体管的源极连接;所述第一稳压二极管的负极与所述第一MOS晶体管的栅极连接。

4.根据权利要求2所述的高电压直流取电电路,其特征在于,所述启动供电单元包括:供电三极管、与所述供电三极管连接的限流电阻、第二稳压二极管和充电电容;

所述第二稳压二极管的正极与所述高电压直流取电电路输入端的低压端连接;所述第二稳压二极管的负极与所述供电三极管的基极连接;所述第二稳压二极管的正极和所述供电三极管的发射极两端构成所述启动供电单元的输出端,并与所述充电电容并联;所述供电三极管的集电极与所述高电压直流取电电路输入端的高压端连接。

5.根据权利要求2所述的高电压直流取电电路,其特征在于,所述自供电单元包括:自供电变压器、第二导通二极管;

所述自供电变压器的一次侧设置在所述输出整流二极管与所述高电压直流取电电路输出端的高压端之间的高压端支路上;

所述自供电变压器的二次侧的高压端与所述第二导通二极管的正极连接,所述第二导通二极管的负极与所述高电压直流取电电路输出端的低压端构成所述自供电单元的输出端。

6.根据权利要求2所述的高电压直流取电电路,其特征在于,所述脉冲控制回路包括:脉冲控制芯片和采样电阻;

所述脉冲控制芯片的输入端为所述脉冲控制回路的电压输入端;所述脉冲控制芯片的输出端与所述第二MOS晶体管的栅极连接;所述脉冲控制芯片的采样输入端通过所述采样电阻与所述第二MOS晶体管的源极连接。

7.根据权利要求1所述的高电压直流取电电路,其特征在于,所述磁复位回路包括:复位电容、复位电阻和复位二极管;

所述复位电容和所述复位电阻并联连接后一端与所述复位二极管的负极连接,另一端与所述高频隔离变压器的一次侧的高压端连接;所述复位二极管的正极与所述高频隔离变压器的一次侧的低压端连接。

8.根据权利要求1-7任一项所述的高电压直流取电电路,其特征在于,还包括:输入滤波电容和输出滤波电容;

所述输入滤波电容并联在所述高电压直流取电电路的输入端两侧;

所述输出滤波电容并联在所述高电压直流取电电路的输出端两侧。

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