[实用新型]一种实现低频RFID标签解码的分立元件电路

权利要求书

1.一种实现低频RFID标签解码的分立元件电路，其特征在于：包括天线频率驱动电路、天线线圈、RC选频滤波电路、二极管检波电路、电阻R6、电容C5、两级选频放大电路；所述天线频率驱动电路依次与所述天线线圈、所述RC选频滤波电路、所述二极管检波电路、所述电阻R6、所述电容C5、所述两级选频放大电路连接。

2.如权利要求1所述的一种实现低频RFID标签解码的分立元件电路，其特征在于：所述天线频率驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1、三极管Q2、电容C1、电容C2，所述电阻R1的一端为信号输入端，所述电阻R1的另一端连接至所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极通过所述电阻R3与电源VCC连接，所述三极管Q1的集电极与所述电容C1的一端连接，所述电阻R2的一端为信号输入端，所述电阻R2的另一端连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与所述电容C2的一端连接，所述电容C1的另一端与所述电容C2的另一端并联后与所述天线线圈连接。

3.如权利要求1所述的一种实现低频RFID标签解码的分立元件电路，其特征在于：所述二极管检波电路包括二极管D1、二极管D2、电容C4、电阻R5，所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极并联后与所述RC选频滤波电路连接，所述二极管D2的正极接地，所述二极管D1的负极分别与所述电容C4的一端、所述电阻R5的一端、所述电阻R6连接，所述电容C4的另一端与所述电阻R5的另一端均接地。

4.如权利要求1所述的一种实现低频RFID标签解码的分立元件电路，其特征在于：所述两级选频放大电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C6、电容C7、电容C8、三极管Q3、三极管Q4，所述电阻R7的一端、所述电阻R9的一端、所述电容C6的一端、所述电阻R11的一端、所述电阻R13的一端、所述电容C8的一端均连接至电源VCC，所述三极管Q3的基极分别与所述电容C5、所述电阻R8的一端、所述电阻R7的另一端连接，所述电阻R8的另一端接地，所述三极管Q3的集电极分别与所述电阻R9的另一端、所述电容C6的另一端、所述电容C7的一端连接，所述三极管Q3的发射极通过所述电阻R10接地，所述电容C7的另一端分别与所述电阻R11的另一端、所述三极管Q4的基极、所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端接地，所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R13的另一端、所述电容C8的另一端连接，所述三极管Q4的发射极通过所述电阻R14接地，所述三极管Q4的集电极为信号输出端。