[实用新型]高电压抑制装置

权利要求书

1.一种高电压抑制装置，是与一发电机的一组三相线圈电性连接，其特征在于，该高电压抑制装置包括：

三个上臂半导体开关，分别具有一第一端以及一第二端，所述上臂半导体开关的第一端互相电性连接，且其第二端分别与该三相线圈的各相线圈电性连接；

三个下臂半导体开关，分别具有一第一端以及一第二端，所述下臂半导体开关的第一端分别与所述上臂半导体开关的第二端电性连接，且所述下臂半导体开关的第二端互相电性连接；

一控制电路，与所述下臂半导体开关电性连接，该控制电路用以输出脉冲宽度调变信号予所述下臂半导体开关，以控制所述下臂半导体开关依序导通与截止。

2.如权利要求1所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中于控制所述下臂半导体开关依序导通与截止时，于一高电位时间区段，具有两个以上的下臂半导体开关同处于导通区。

3.如权利要求1所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中所述上臂半导体开关以及所述下臂半导体开关分别地由金属氧化半导体场效应晶体管所构成。

4.如权利要求1或3所述的高电压抑制装置，其特征在于，还包含有三个具有反向崩溃效应的二极管，各具有一正极以及一负极；所述二极管的正极分别与所述下臂半导体开关的第二端电性连接；所述二极管的负极则分别与各该下臂半导体的第一端电性连接。

5.如权利要求4所述的高电压抑制装置，其特征在于，还包含有另外三个具有反向崩溃效应的二极管，且分别具有一正极以及一负极，而其正极分别与各该上臂半导体开关的第二端电性连接，其负极分别地与所述上臂半导体开关的第一端电性连接。

6.如权利要求4所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中于一低电位时间区段，脉冲宽度调变信号输出低电位信号，而使所述下臂半导体开关同时处于截止区，所述二极管导通。

7.如权利要求1所述的高电压抑制装置，其特征在于，用以接收该三相线圈所输出的一交流电能，并将该交流电能转换后供应予一负载；该高电压抑制装置还包含有一侦测电路，该侦测电路一侧与该三相线圈连接或是与该负载连接，另一侧则与该控制电路连接，当该侦测电路侦测到该三相线圈所输出的电压或该负载所接收的电压超过一默认值时，该侦测电路输出一信号予该控制电路，以控制该控制电路输出该脉冲宽度调变信号予所述下臂半导体开关，以控制所述下臂半导体开关依序导通与关闭。

8.一种高电压抑制装置，是与一发电机的一组三相线圈电性连接，其特征在于，该高电压抑制装置包括：

三个上臂半导体开关，分别具有一第一端以及一第二端，所述上臂半导体开关的第一端互相电性连接，且其第二端分别与该三相线圈的各相线圈电性连接；

三个下臂半导体开关，分别具有一第一端以及一第二端，所述下臂半导体开关的第一端分别地与所述上臂半导体开关的第二端电性连接，且所述下臂半导体开关的第二端互相电性连接；

至少三个反向崩渍效应的二极管，分别地与所述上臂半导体开关并联、或是分别地与所述下臂半导体开关并联；

其中，所述上臂半导体开关以及所述下臂半导体开系分别地由金属氧化半导体场效应晶体管所构成。

9.如权利要求8所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中所述二极管是分别与所述上臂半导体开关并联，且分别地与所述下臂半导体开关串联。

10.如权利要求8所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中所述二极管分别与所述下臂半导体开关并联，且分别地与所述上臂半导体开关串联。

11.如权利要求8所述的高电压抑制装置，其特征在于，其中该至少三个反向崩溃效应的二极管的数量为六个，且分别地与所述上臂半导体开关以及所述下臂半导体开关并联。