[实用新型]外部SRAM动态监测器有效

专利信息
申请号: 201520020204.1 申请日: 2015-01-13
公开(公告)号: CN204480673U 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 周峥;郑政 申请(专利权)人: 上海理工大学;上海瑞影医疗科技有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G06F13/16
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 200080 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 外部 sram 动态 监测器
【说明书】:

技术领域

实用新型属于数据监测领域,具体涉及一种利用低资源消耗对至少一个外部SRAM进行监测的外部SRAM动态监测器。

背景技术

SRAM是静态随机存储器,由于SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能。现有技术中,需要将SRAM中的数据读出然后写入到片内RAM中,一般通过JTAG将数据导出,但是一次只能观测一个SRAM的某一个特定区域的数据,这样非常不方便,而且如果要检测所有的SRAM的数据内容,则需要耗费大量的资源,这样对算法的研究,尤其是图像处理算法的研究非常不方便。

实用新型内容

本实用新型是为了解决上述课题而进行的,目的在于提供能够利用尽量少的资源实现对至少一个外部SRAM灵活方便地进行监测的外部SRAM动态监测器。

本实用新型提供了一种外部SRAM动态监测器,用于对至少一个外部SRAM进行监测,其特征在于,包括:分区部,将每个外部SRAM分为具有相应地址的至少两个SRAM子单元;设定输出部,被用于选 择SRAM子单元并输出与该SRAM子单元的地址相对应的地址信号;控制部,包含:用于读取每个SRAM子单元中的数据信号的读取单元、选择地址信号相对应的数据信号的获取单元、用于缓存数据信号的RAM;以及处理部,用于对被RAM缓存的数据信号进行处理得到数据内容。

在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中,还可以具有这样的特征:其中,控制部还包含:与设定输出部相连接用于根据地址信号发出写信号的发生单元、根据写信号控制RAM对数据信号进行存取的控制单元以及发出触发信号的信号发出单元,控制单元控制信号发出单元发出触发信号,控制单元根据触发信号控制发生单元发出写信号。

在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中,还可以具有这样的特征:其中,控制部还包含用于检测判断外部SRAM是否为空闲状态的检测判断单元,当检测判断单元判断外部SRAM为空闲时,控制单元控制信号发出单元发出触发信号。

在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中,还可以具有这样的特征,还包括:启动部,用于启动检测判断单元进行检测。

在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中,还可以具有这样的特征:其中,处理部具有JTAG接口的数据线。

实用新型的作用与效果

根据本实用新型所涉及的外部SRAM动态监测器,因为分区部将 外部SRAM分为至少两个SRAM子单元进行监测,利用片内开辟出的较少的缓存空间对多个SRAM的任何区域数据内容进行检测,从而实现利用更少的资源对外部SRAM进行监测,通过设定输出部能够选择一个SRAM子单元进行监测并且输出相对应的地址信号,通过控制部的读取单元读取SRAM子单元中的数据信号,另外,获取单元选择获取与对应SRAM的地址信号相对应的数据信号,并通过RAM将该部分数据信号进行存取,最后,通过处理部将该数据信号进行处理得到数据内容,使得获取到的SRAM子单元中的数据信号被监测出,所以,本实用新型的外部SRAM动态监测器实现了灵活方便地对至少一个外部SRAM进行监测。

附图说明

图1是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的结构框图;

图2是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的电路图;以及

图3是本实用新型的实施例中控制部的结构框图;

图4是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,以下实施例结合附图对本实用新型的外部SRAM动态监测器作具体阐述。

图1是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的结构框图。

如图1所示,在本实施例中,外部SRAM动态监测器100的实现基于FPGA,根据需要通过可编辑的连接把FPGA内部的逻辑块连接起来,从而实现本实施例的监测电路。在本实施例中对两块外部SRAM规格都为16bit,2M的外部SRAM进行监测。外部SRAM动态监测器100用于实现对两块外部SRAM中的数据灵活方便地进行监测。

外部SRAM动态监测器100包含:分区部10、启动部20、设定输出部30、控制部40和处理部50。

根据需要通过分区部10将两个外部SRAM分为标识为SRAMⅠ和SRAMⅡ,并且将SRAMⅠ分为具有相应地址的两个SRAM子单元并分别标识为bank0和bank1,将SRAMⅡ也分为具有相应地址的两个SRAM子单元并分别标识为bank2和bank3。

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