[实用新型]N型双面电池有效
申请号: | 201520028371.0 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN204706574U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 魏青竹;陆俊宇;连维飞;倪志春 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L21/228 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐灵;常亮 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 电池 | ||
1.一种N型双面电池,其特征在于,所述N型双面电池包括:N型硅片衬底、P型层、第一钝化减反膜、N+层、第二钝化减反膜、栅线电极;
所述P型层、第一钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的上表面,所述第一钝化减反膜包括氧化铝和氮化硅,所述氧化铝和氮化硅依次层叠设置于所述P型层上;
所述N+层、第二钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的下表面,所述第二钝化减反膜为氮化硅钝化减反膜;
所述栅线电极为若干条,所述栅线电极分别分布于所述第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,位于第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上的主栅线电极对称设置。
2.根据权利要求1所述的N型双面电池,其特征在于,所述N型硅片衬底的上、下表面上分别形成有绒面。
3.根据权利要求2所述的N型双面电池,其特征在于,所述绒面具有三棱锥结构。
4.根据权利要求1所述的N型双面电池,其特征在于,所述第一钝化减反膜的厚度为70~90nm,所述第一钝化减反膜中氧化铝的厚度为5~30nm,氮化硅的厚度为40~85nm。
5.根据权利要求1所述的N型双面电池,其特征在于,所述主栅线电极的根数为2~5根,宽度为0.5mm~2.5mm;所述副栅线电极的根数为50~150根,宽度为30um~150um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的