[实用新型]一种输入输出接口的双向驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力电子领域，具体涉及一种输入输出接口的双向驱动电路。

背景技术

随着电动汽车、不间断电源和航空系统的发展，系统内部经常会出现输入/输出逻辑不协调的问题，因此，对电压转化的需求非常普遍。

图1是现有技术中实现电压转换时的结构图。如图1所示，其中，U1为专用的电压转换芯片，I/O1口为低电压输入输出(I/O)口，I/O2口为高电压输入输出(I/O)口，电平转换芯片U1用于将I/O1口的电压VDD和I/O2口的电压VBAT进行转换，然而专用的电压转换芯片价格比较昂贵，一般只能对5.5V以下的电压进行转换，且只能实现单一方向的电压转换。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种输入输出接口的双向驱动电路，以解决现有技术中采用专用电压转换芯片时成本高、且只能实现单一方向的电压转换的问题。

本实用新型实施例提供了一种输入输出接口的双向驱动电路，包括低电压驱动端、高电压驱动端、第一电阻、第一晶体管、第二晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻，其中，

所述低电压驱动端分别与所述第一电阻的第一端、所述第四电阻的第二端以及所述第五电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的第一端相连，所述第五电阻的第二端与地相连；

所述第一晶体管的第二端分别与所述第二晶体管的第一端以及所述第二电阻的第一端相连，所述第一晶体管的第三端分别与所述第二晶体管的第三端以及与地相连，所述第二电阻的第二端与电源相连；

所述第二晶体管的第二端分别与所述第三电阻的第一端以及所述第六电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与电源相连，所述第六电阻的第二端分别与所述高电压驱动端和所述第四电阻的第一端相连。

进一步地，当所述低电压驱动端作为输出端时，如果所述低电压驱动端输出高电平，则电源电压通过所述第三电阻和所述第六电阻后使得所述高电压驱动端输出高电平；

如果所述低电压驱动端输出低电平，则接地端电压通过所述第六电阻后使得所述高电压驱动端输出低电平。

进一步地，当所述高电压驱动端作为输出端时，如果所述高电压驱动端输出高电平，所述高电平通过所述第四电阻和所述第五电阻分压后使得所述低电压驱动端输出高电平；

如果所述高电压驱动端输出低电平，则所述低电平通过所述第四电阻后使得所述低电压驱动端输出低电平。

进一步地，所述第四电阻的阻值和所述第五电阻的阻值之和大于所述第三电阻的阻值的十倍。

进一步地，所述第六电阻的阻值小于或等于所述第三电阻的阻值。

进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NPN管。

进一步地，所述第一晶体管的第一端为所述NPN管的基极，所述第一晶体管的第二端为所述NPN管的集电极，所述第一晶体管的第三端为所述NPN管的发射极；

所述第二晶体管的第一端为所述NPN管的基极，所述第二晶体管的第二端为所述NPN管的集电极，所述第一晶体管的第三端为所述NPN管的发射极。

进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS管。

进一步地，所述第一晶体管的第一端为所述NMOS管的栅极，所述第一晶体管的第二端为所述NMOS管的漏极，所述第一晶体管的第三端为所述NMOS管的源极；

所述第二晶体管的第一端为所述NMOS管的栅极，所述第二晶体管的第二端为所述NMOS管的漏极，所述第二晶体管的第三端为所述NMOS管的源极。

本实用新型实施例提供的输入输出接口的双向驱动电路，当低电压驱动端作为输出时，通过第一晶体管和第二晶体管进行电压转换，当高电压驱动端作为输出时，通过第四电阻和第五电阻进行电压转换，能够实现低电压驱动端电压和高电压驱动端电压之间的相互转换，且不需要设置转换方向。

附图说明

图1是现有技术中实现电压转换时的结构图；

图2是本实用新型第一实施例中的输入输出接口的双向驱动电路的结构图；

图3是本实用新型第二实施例中的输入输出接口的双向驱动电路的结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。

在图2中示出了本实用新型的第一实施例。