[实用新型]一种FinFet器件源漏外延设备有效
| 申请号： | 201520039123.6 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN204391059U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 外延 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，包括：
主腔室；
至少一个用于加载晶圆的装片室；
用于晶圆流转的中转腔，所述中转腔内设置有用于转移晶圆的机械手臂；
至少一个用于去除晶圆表面自然氧化层的腐蚀腔，所述腐蚀腔中设置有用于放置晶圆的石墨基座；
至少一个用于外延反应的外延反应腔；
用于向所述主腔室、所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔中供应气体的气体分配装置；
用于给设备抽真空的抽真空装置；
所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔均位于所述主腔室中。
2.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述装片室具有两个，所述外延反应腔具有两个。
3.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述腐蚀腔为特氟仑材质。
4.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述气体分配装置包括用于提供惰性气体的第一气体分配装置和用于提供氢氟酸反应气的第二气体分配装置。
5.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述抽真空装置为干泵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
