[实用新型]一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路有效
| 申请号： | 201520041773.4 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN204833032U | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王本川;范涛 | 申请（专利权）人： | 北京华强智连微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 响应 增强 型片上 电容 ldo 电路 | ||
1.一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路，其特征在于，包括基准电压源、误差放大器、功率管、电阻串分压单元、充电通路、放电通路、耦合电容Cc1和Cc2以及100pF的片上电容CINT；误差放大器的负端接基准电压源，误差放大器的正端接由R1和R2组成的电阻串分压单元的中间抽头，误差放大器的输出端接功率管的栅极，功率管的漏极接电阻串分压单元的输入端；充电通路与耦合电容Cc2串联，跨接在功率管的栅极和漏极之间，放电通路与耦合电容Cc1串联，跨接在功率管的栅极和漏极之间；所述LDO电路的输出端接100pF的片上电容。
2.如权利要求1所述的一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路，其特征在于，所述充电通路为耦合电容Cc2一端接LDO输出电压端，另一端接NMOS管Mc1的漏极，NMOS管Mc1和NMOS管Mc2接成电流镜单元，PMOS管Mc3和PMOS管Mc4接成电流镜单元，NMOS管Mc2的漏极接PMOS管Mc3的栅极和漏极，PMOS管Mc4的漏极接功率管的栅极，电流源I2为充电通路提供偏置电流。
3.如权利要求1所述的一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路，其特征在于，所述放电通路为耦合电容Cc1一端接LDO输出电压端，另一端接NMOS管Mf的源极和NMOS管Mb的栅极，NMOS管Mb的漏极接NMOS管Mf的栅极，电流源Ib和I1为放电通路提供偏置电流。
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