[实用新型]基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池有效

申请号：	201520042041.7	申请日：	2015-01-21
公开（公告）号：	CN204315609U	公开（公告）日：	2015-05-06
发明（设计）人：	高鹏;郭辉;黄海栗;苗东铭;胡彦飞;张玉明	申请（专利权）人：	中电投西安太阳能电力有限公司
主分类号：	H01L31/075	分类号：	H01L31/075;H01L31/0352
代理公司：	陕西电子工业专利中心 61205	代理人：	王品华
地址：	710100 陕西***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	基于纳米线绒面异质结太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)，其特征在于：所述本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间增设有硅纳米线绒面层(5)。

2.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：硅纳米线绒面层(5)是通过溶液转移至硅衬底(6)上而形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，每根硅纳米线的直径为40-80nm，长度为20-40μm。

3.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：栅线电极(1)采用金属银材料。

4.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：P型非晶硅层(3)采用厚度为15-20nm的平整平面结构。

5.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：正面本征非晶硅层(4)采用厚度为10-15nm的平整平面结构，所述平整平面为表面无三维微纳米结构的外延平面。

6.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：N型硅衬底(6)采用厚度为300-500μm的平整平面结构。

7.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：背面本征非晶硅层(7)采用厚度为10-15nm的平整表面结构。

8.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：N型非晶硅层(8)采用为厚度15-20nm平整表面结构。

9.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：AZO氧化锌透明导电膜(9)采用Al掺杂，Al₂O₃的质量分数为1％。

10.根据权利要求1所述的硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，其特征在于：背电极(10)采用金属铝材料。

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