[实用新型]一种发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：

衬底(1)、以及在所述衬底(1)上依次生长的缓冲层(2)、不掺杂的GaN层(3)、第一n型掺杂的GaN层(5)、n型掺杂的AlGaN层(6)、应力释放层(7)、多量子阱层(8)和p型层(9)，其特征在于，

所述衬底(1)为4英寸或6英寸的衬底，所述发光二极管外延片还包括第二n型掺杂的GaN层(4)，所述第二n型掺杂的GaN层(4)位于所述不掺杂的GaN层(3)和所述第一n型掺杂的GaN层(5)之间，所述第二n型掺杂的GaN层(4)的厚度是1～2微米，所述n型掺杂的AlGaN层(6)的厚度是10～100nm；

所述第二n型掺杂的GaN层(4)为第一n型掺杂的Al_x1Ga_y1N_1-x1-y1层(41)和第二n型掺杂的Al_x2Ga_y2N_1-x2-y2层(42)交替生长的周期性结构，0≤x1<x2<1，0<y1<1，0<y2<1；所述周期性结构中靠近所述不掺杂的GaN层(3)的是所述第一n型掺杂的Al_x1Ga_y1N_1-x1-y1层(41)；或者，

所述第二n型掺杂的GaN层(4)为第三n型掺杂的Al_x3Ga_y3N_1-x3-y3层(43)和第四n型掺杂的Al_x4Ga_y4N_1-x4-y4层(44)交替生长的周期性结构，0≤x4<x3<1，0<y3<1，0<y4<1；所述周期性结构中靠近所述不掺杂的GaN层(3)的是所述第三n型掺杂的Al_x3Ga_y3N_1-x3-y3层(43)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一n型掺杂的Al_x1Ga_y1N_1-x1-y1层(41)的厚度和所述第二n型掺杂的Al_x2Ga_y2N_1-x2-y2层(42)的厚度均为20～40nm；所述周期性结构的周期数量为10～30。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三n型掺杂的Al_x3Ga_y3N_1-x3-y3层(43)和所述第四n型掺杂的Al_x4Ga_y4N_1-x4-y4层(44)的厚度均为20～40nm；所述周期性结构的周期数量为10～30。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一n型掺杂的GaN层(5)和所述第二n型掺杂的GaN层(4)的总厚度为1～3微米。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一n型掺杂的GaN层(5)的厚度为1～2微米。

6.根据权利要求1-5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层(2)是AlGaN层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层(2)的厚度是15～35nm。

8.根据权利要求1-5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述不掺杂的GaN层(3)的厚度是800～1200nm。