[实用新型]一种表面等离子体慢光波导有效
申请号: | 201520050227.7 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN204374476U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 陈辉;陈佳佳;陈明 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/124 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 欧阳波 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子体 波导 | ||
1.一种低损耗表面等离子体慢光波导,包括金属基底(1)和介质光栅(2),其特征在于:
所述金属基底(1)为上、下两块,介质光栅(2)的栅条上、下两端分别经加载介质层(3)与上、下金属基底(1)连接,介质光栅(2)的栅条以上、下金属基底(1)之间的水平中心线上下对称,各栅条的宽度相等,各栅条的间距相等,各栅条的厚度相等,栅条的高度由一端向另一端以相同的增幅逐渐递增,最少为4根栅条;栅条之间为空气(4)或者为真空。
2.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
所述介质光栅(2)的栅条宽度为100~120nm。
3.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
所述介质光栅(2)的栅条间距为130~250nm。
4.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
所述介质光栅(2)的栅条高度为40nm≤h≤800nm,相邻栅条的高度差为4~16nm。
5.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
所述的加载介质层(3)的高度为10~20nm。
6.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
所述介质光栅(2)的栅条和加载介质层(3)的厚度相等。
7.根据权利要求1所述的低损耗表面等离子体慢光波导,其特征在于:
与加载介质层(3)连接的上方的金属基底(1)的底和下方的金属基底(1)的顶为直线,二者以水平中心线上下对称。
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