[实用新型]扩晶机的顶膜结构有效
申请号: | 201520052888.3 | 申请日: | 2015-01-22 |
公开(公告)号: | CN204332927U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 彭晖;眭世荣 | 申请(专利权)人: | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/48 |
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地址: | 528220 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩晶机 膜结构 | ||
1.一种扩晶机的顶膜结构;所述顶膜结构的俯视形状是四边形;在所述顶膜结构的四边分别设置可以转动的圆柱体;所述顶膜结构的顶端的表面与4个所述圆柱体的顶部在同一平面,使得蓝膜同时接触所述顶膜结构的顶端的表面和所述圆柱体的顶部;在扩晶机工作时,所述顶膜结构向上升起,所述圆柱体随所述顶膜结构向上升起,所述蓝膜被扩张,与所述蓝膜接触的所述圆柱体被扩张的所述蓝膜带动而转动并且改变所述蓝膜的拉伸方向,使得所述蓝膜受力较小并且受力均匀。
2.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述圆柱体包括实心的圆柱体或者中空的圆柱体。
3.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面,蓝膜放置在所述蓝膜接触面上,所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形,使得蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
4.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述顶膜结构的顶端的表面与所述的圆柱体的顶部在同一平面,使得所述蓝膜同时接触所述顶膜结构的顶端的表面和所述的圆柱体的顶部。
5.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述圆柱体的支架与顶膜结构是一体成型。
6.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述圆柱体的支架是固定在顶膜结构上。
7.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,所述顶膜结构具有加热结构。
8.根据权利要求1所述的扩晶机的顶膜结构,其特征是,4个所述圆柱体分别具有加热结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造