[实用新型]组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备

权利要求书

1.一种组合闪烁晶体，其特征在于：其包括至少一个A闪烁晶体模块及一个B闪烁晶体模块，所述A闪烁晶体模块与B闪烁晶体模块为性能不尽相同的闪烁晶体模块，所述A闪烁晶体模块包括至少一个闪烁晶体A，所述B闪烁晶体模块包括至少一个闪烁晶体B，所述闪烁晶体A的灵敏度低于所述闪烁晶体B的灵敏度，所述闪烁晶体A的光输出高于所述闪烁晶体B的光输出，所述B闪烁晶体模块设有用以接收射线的射线入射面，至少一个所述A闪烁晶体模块排布于B闪烁晶体模块的射线入射面的外侧。

2.根据权利要求1所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述B闪烁晶体模块包括与外部硅光电倍增器件耦合的第一对接面、与第一对接面位置相对的第二对接面以及连接第一对接面及第二对接面的用以接收射线的若干个侧面，若干所述侧面为B闪烁晶体模块的所述射线入射面，所述A闪烁晶体模块包括若干个，若干所述A闪烁晶体模块分别排布于B闪烁晶体模块的每一侧面外围，且整体上若干所述A闪烁晶体模块围绕所有侧面从侧面外围完全包裹住B闪烁晶体模块。

3.根据权利要求2所述的组合闪烁晶体，其特征在于：该若干个A闪烁晶体模块相对于B闪烁晶体模块至少在一个方向上呈对称排布。

4.根据权利要求2所述的组合闪烁晶体，其特征在于：若干所述A闪烁晶体模块以大于等于射线入射面面积的方式进行排布并包裹B闪烁晶体模块。

5.根据权利要求1所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述B闪烁晶体模块包括与外部硅光电倍增器件耦合的第一对接面、与第一对接面位置相对的第二对接面以及连接第一对接面及第二对接面的用以接收射线的若干个侧面，若干所述侧面为所述B闪烁晶体模块的射线入射面，所述A闪烁晶体模块包括若干个，若干所述A闪烁晶体模块分别排布于B闪烁晶体模块的至少两个侧面外围，且整体上若干所述A闪烁晶体模块从侧面外围不完全包裹B闪烁晶体模块。

6.根据权利要求5所述的组合闪烁晶体，其特征在于：该若干个A闪烁晶体模块相对于B闪烁晶体模块至少在一个方向上呈对称排布。

7.根据权利要求5所述的组合闪烁晶体，其特征在于：若干所述A闪烁晶体模块以大于等于射线入射面面积的方式进行排布并包裹B闪烁晶体模块。

8.根据权利要求1所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述B闪烁晶体模块包括与硅光电倍增器件耦合的第一对接面、与第一对接面位置相对的第二对接面以及连接第一对接面及第二对接面的用以接收射线的若干个侧面，若干所述侧面为所述B闪烁晶体模块的射线入射面，所述至少一个A闪烁晶体模块排布于B闪烁晶体模块其中一个侧面的外侧。

9.根据权利要求8所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述至少一个A闪烁晶体模块排布后与射线入射面对接的面的面积大于等于射线入射面的面积。

10.根据权利要求1所述的组合闪烁晶体，其特征在于：至少一个A闪烁晶体模块自B闪烁晶体模块的射线入射面的相邻处向远离B闪烁晶体模块的外侧排布。

11.一种组合闪烁探测器，其包括硅光电倍增器件及信号处理模块，其特征在于：所述组合闪烁探测器包括权利要求1至10任一所述的组合闪烁晶体。

12.一种辐射探测设备，其包括外壳及显示器，其特征在于：所述辐射探测设备包括权利要求11所述的组合闪烁探测器。

13.一种组合闪烁晶体，其特征在于：其包括X种不同性能的闪烁晶体，X≥3，该X种不同性能的闪烁晶体中第一种闪烁晶体的灵敏度高于其他种闪烁晶体的灵敏度，该X种不同性能的闪烁晶体中第一种闪烁晶体的光输出低于其他种闪烁晶体的光输出，所有第一种闪烁晶体形成一个整体结构的B闪烁晶体模块，所述B闪烁晶体模块设有用以接收射线的射线入射面，其他种闪烁晶体排布于B闪烁晶体模块的射线入射面的外侧。

14.根据权利要求13所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述其他种闪烁晶体相对B闪烁晶体模块的排布方式满足条件：沿着远离B闪烁晶体模块的方向，灵敏度逐渐变低，而光输出逐渐变高。

15.根据权利要求13所述的组合闪烁晶体，其特征在于：所述其他种闪烁晶体中每种闪烁晶体为偶数个，该偶数个每种闪烁晶体以B闪烁晶体模块为对称点对称排布于任意两个对称的B闪烁晶体模块的射线入射面的外侧。