[实用新型]一种薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201520054765.3 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN204516772U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 高志翔;韩丙辰;刘红梅;董丽娟;刘艳红;刘丽想;石云龙 | 申请（专利权）人： | 山西大同大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 037009 山西省大*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括：
栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其特征在于，
所述源极为W形；
所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极为H形。
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