[实用新型]一种GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构有效
| 申请号： | 201520055078.3 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN204375756U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈新宇;蒋东铭;杨磊 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/868;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 211111 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 复合 phemt pin 外延 材料 结构 | ||
1.一种GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，从下至上依次包括：
GaAs衬底（1）、GaAs缓冲层（2）、第一i-GaAs层（3）、第一δ_掺杂层（4）、第一spacer层（5）、i-InGaAs层（6）、第二spacer层（7）、第二δ_掺杂层（8）、i-AlGaAs层（9）、n-GaAs层（10）、第二i-GaAs层（11）、P-GaAs层(12)。
2.如权利要求1所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述GaAs缓冲层（2）的厚度为300~1000nm，所述第一i-GaAs层（3）的厚度为20~200nm，所述第一δ_掺杂层（4）的厚度为0.1~1nm，所述第一spacer层（5）的厚度为2~4nm，所述i-InGaAs层（6）的厚度为10~14nm，所述第二spacer层（7）的厚度为2~4nm，所述第二δ_掺杂层（8）的厚度为0.1~1nm，所述i-AlGaAs层（9）的厚度为30~60nm ，n-GaAs层（10）的厚度为30~2000nm，第二i-GaAs层（11）的厚度为500~5000nm，P-GaAs层（12）的厚度为100~300nm。
3.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述GaAs缓冲层（2）的厚度为700nm。
4.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述第一i-GaAs层（3）为不掺杂GaAs，厚度为50nm；第二i-GaAs层（11）为不掺杂的n型GaAs，厚度为3000nm。
5.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述第一δ_掺杂层（4）和第二δ_掺杂层（8）均为掺杂硅的平面层，厚度均为0.5nm。
6.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述第一spacer层（5）、第二spacer层（7）均为不掺杂的AlGaAs，厚度均为4nm。
7.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述i-InGaAs层（6）为不掺杂的InGaAs，厚度为12nm。
8.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述i-AlGaAs层（9）为不掺杂的AlGaAs，厚度为30nm。
9.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述n-GaAs层（10）为高掺杂的n型GaAs，厚度为1000nm。
10.如权利要求1或2所述的GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，其特征在于，所述P-GaAs层（12）为高掺杂的p型GaAs，厚度为200nm。
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