[实用新型]一种二级微位移放大结构

权利要求书

1.一种二级微位移放大结构，其特征在于：在薄膜上采用刻蚀技术制备，包括：

两对分别呈中心对称设置的第一固定端和第二固定端，他们均由形成于基片上的牺牲层和形成于牺牲层上的待测薄膜构成，

一对呈中心对称设置的固定梁，两固定梁的一端分别连接在两第一固定端，

一对呈中心对称设置的旋转梁，两旋转梁分别通过固定梁连接颈与两固定梁的另一端连接，两旋转梁的一端通过旋转梁连接颈与第二固定端连接，

一个具有中心对称结构的指针梁，其对称中心两侧分别通过两根中心对称的指针梁连接颈与两根旋转梁的另一端连接，

一对呈中心对称设置的刻度尺，其形成于基片上的牺牲层和形成于牺牲层上的待测薄膜构成，其为配置与所述基片上的梳齿结构，两刻度尺分别相对于指针梁的指针设置，用于配合读取所示指针梁的摆动值，

薄膜下方的牺牲层去除后，薄膜内部的残余应力作用下，固定梁产生的伸缩位移经过旋转梁的伸缩位移通过固定梁连接颈传递给旋转梁，旋转梁将位移进行一级放大，放大后的位移然后经指针梁连接颈传递给指针梁，在指针梁连接颈的作用下对位移二次放大，二次放大后的位移转变为指针梁的左右摆动，指针梁尖端摆动的值通过刻度尺上的刻度读出。

2.根据权利要求1所述的一种二级微位移放大结构，其特征在于：所述指针梁对称中心处设有指针梁弯角e。