[实用新型]防漏电的功率器件有效
| 申请号： | 201520070004.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN204424260U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 郝建勇;张志娟;周炳 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 鞠明 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有防漏电的功率器件，其特征是：包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层(8)、绝缘层(9)、电极(6)及金属层(7)，所述的电极(6)的左侧设置栅氧化层(8)和绝缘层(9)，所述的电极(6)的右侧也设置栅氧化层(8)和绝缘层(9)，栅氧化层(8)和绝缘层(9)之间设有多晶硅层(10)，绝缘层(9)将栅氧化层(8)与电极(6)隔开，左侧的栅氧化层(8)和多晶硅层(10)与左侧的绝缘层(9)接触的一侧具有第一SIN侧墙(11)，右侧的栅氧化层(8)和多晶硅层(10)与右侧的绝缘层(9)接触的一侧具有第二SIN侧墙(12)。
2.如权利要求1所述的具有防漏电的功率器件，其特征是：所述的芯片从背面到正面依次为集电区(1)、漂移区(2)、阱区(3)、第一发射极(4)和第二发射极(5)，所述的第一发射极(4)和第二发射极(5)设置在阱区(3)内且相互隔开。
3.如权利要求2所述的具有防漏电的功率器件，其特征是：左侧的栅氧化层(8)与漂移区(2)、阱区(3)、第一发射极(4)部分相连，右侧的栅氧化层(8)与漂移区(2)、阱区(3)、第二发射极(5)部分相连。
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