[实用新型]一种并联谐振中频焊接热处理装置有效
申请号: | 201520073997.3 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN204434668U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 魏国琴;肖玲 | 申请(专利权)人: | 扬中市盛达电器制造有限责任公司 |
主分类号: | C21D1/42 | 分类号: | C21D1/42;C21D9/50 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212211 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 并联 谐振 中频 焊接 热处理 装置 | ||
1.一种并联谐振中频焊接热处理装置,包括并联谐振中频电源控制单元、过流保护采样单元、温度控制单元、三相全控整流桥、直流滤波电抗器、单相桥式逆变单元、测温单元与中频感应加热器,其特征在于:
所述过流保护采样单元设置在所述三相整流桥的进线端的三相交流电上,过流保护采样单元的信号输出端与所述并联谐振中频电源控制单元相连,所述过流保护采集单元由一次互感器采集的电流经二次升压再经负载电阻衰减后获得的交流信号与电压互感器上获得的电压信号经中频电源控制单元整流对比后适时关断整流电路与逆变电路;
所述并联中频电源控制单元采集端接受由温度控制单元发出输出信号,所述温度控制单元包括信号滤波器和温度控制仪,所述信号滤波器的信号输入端通过补偿导线与测温单位相连,所述信号滤波器的信号输出端与所述温度控制仪信号输入端相连,在所述温度控制仪的输出端并联一个电阻,并将获得低压信号连接至并联中频电源控制单元的功率调节信号输入端;
所述并联中频电源控制单元根据温度控制单元采集的信号发出整流脉冲触发所述三相全控整流桥,所述三相全控整流桥由三个可控硅模块和阻容过压保护电路组成,三相交流电的三相分别与三个可控硅模块相连,每个可控硅模块内的可控硅上均并联有阻容过压保护电路,将三相交流电经所述三相全控整流桥转换成直流电;
从所述三相全控整流桥输出的直流电经过直流滤波电抗器至所述单相桥式逆变单元,所述单相桥式逆变单元主要由四个快速可控硅和与四个分别与所述快速可控硅并联的阻容过压保护电路组成,所述四个快速可控硅两两一组并联连接,由并联中频电源控制单元发出的逆变触发脉冲触发单相逆变桥中的快速可控硅,两组快速可控硅引出线路与谐振电容并联后连接所述中频感应加热器,通过所述中频感应加热器中对管道工件加热,待加热管道工件的温度由所述测温单元经补偿导线反馈至所述温度控制单元。
2.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述测温单元为丝径大于等于Φ0.5mm;长度大于等于600mm的K分度热电偶,所述热电偶由KC系列或KX系列补偿导线与温度控制单元相连。
3.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述可控硅模块采用MTC可控硅模块,所述快速可控硅采用KK快速可控硅,并在所述MTC可控硅模块和KK快速可控硅上设有散热器。
4.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述单相桥式逆变单元与所述谐振电容之间设有中频功率采样单元与所述并联谐振中频电源控制单元相连。
5.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述并联谐振中频电源控制单元的供电由单相交流变压器连接供电。
6.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述单相桥式逆变单元内设有至少四个快速可控硅,每个快速可控硅分别与一个逆变桥的支路相连。
7.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述三相全控整流桥与直流滤波电抗器之间还设有分流器,在所述分流器上分别连接由直流电流表和直流电压表。
8.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述并联中频电源控制单元为MPU-6、PMU-7、1016或PBX6M-1型并联谐振中频电源控制板。
9.根据权利要求1所述的并联谐振中频焊接热处理装置,其特征在于:所述中频感应加热器驱动电源的频率为700Hz-2500Hz。
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