[实用新型]扬声器振膜的球顶结构有效

专利信息
申请号: 201520074681.6 申请日: 2015-02-03
公开(公告)号: CN204518053U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 李本忠 申请(专利权)人: 四川和音电子科技有限公司
主分类号: H04R7/10 分类号: H04R7/10
代理公司: 重庆志合专利事务所 50210 代理人: 胡荣珲
地址: 638600 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 扬声器 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种球顶结构,特别涉及一种适用于智能机扬声器的扬声器振膜的球顶结构。

背景技术

以当前材料技术成型的膜片,在装配成扬声器单元后,扬声器往往音质达不到当前智能手机的需求,主要表现为灵敏度低、低频音质差、失真高。而现有振膜的球顶部一般采用双层铝箔,质量较大,会导致产品高频响应特性不好,灵敏度偏低。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术存在的不足,提供一种扬声器振膜的球顶结构,本球顶结构为带蜂巢状吸音巢结构的复合球顶,此球顶可以有效吸收扬声器系统产生的噪音,使喇叭音质更纯、更柔、更细腻,且本实用新型相比常规复合膜片而言,灵敏度较高,重量较轻而强度不变。

本实用新型的目的是这样实现的:一种扬声器振膜的球顶结构,包括中间层,所述中间层采用材质为厚度0.016mm的PEN薄膜,该中间层成型为蜂巢状结构,且中间层厚度为0.3-0.35mm,该中间层的上表面通过第一双面胶层固定有第一铝箔层,该中间层的下表面通过第二双面胶层固定有第二铝箔层,所述第二铝箔层上设有用于与振膜固定的第三双面胶层,形成厚度为0.3-0.35mm的球顶结构。

所述第一双面胶层、第二双面胶层、第三双面胶层的厚度为0.005mm。

所述第一铝箔层和第二铝箔层的厚度为0.006mm。

所述第一铝箔层和第二铝箔层采用全硬态镁铝合金7075铝箔。

采用上述方案,使本实用新型具有以下优点:由于本实用新型的扬声器振膜的球顶结构,包括中间层,所述中间层采用材质为厚度0.016mm的PEN薄膜,该中间层成型为蜂巢状结构,且中间层厚度为0.3-0.35mm,该中间层的上表面通过第一双面胶层固定有第一铝箔层,该中间层的下表面通过第二双面胶层固定有第二铝箔层,所述第二铝箔层上设有用于与振膜固定的第三双面胶层,形成厚度为0.3-0.35mm的球顶结构。本实用新型采用球顶材料为带蜂巢状吸音巢结构的复合球顶,此球顶可以有效吸收扬声器系统产生的噪音,使喇叭音质更纯、更柔、更细腻;其此球顶材质更轻,结构强度更大,可以在5.8毫克的重量下达到目前业内15毫克双面铝箔球顶的强度,从而可以使喇叭灵敏度更高,声音更大。

目前,本球顶中间层采用材质为厚度0.016mm的PEN薄膜,经成型为蜂巢状结构,相比传统球顶所使用的发泡,重量轻、强度大、吸收噪音效果好。

扬声器使用此球顶配合硅胶薄膜与TPU复合的膜材所制成的震动膜片,可以使FO达到300-350HZ,单体耐功率0.8W,单体800-1.5KHZ平均SPL达到88-89DB,失真很低。

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型的扬声器振膜的球顶结构的结构示意图。

附图中,1为中间层,2为第一双面胶层,3为第二双面胶层,4为第三双面胶层,5为第一铝箔层,6为第二铝箔层。

具体实施方式

参见图1,一种扬声器振膜的球顶结构,包括中间层,所述中间层采用材质为厚度0.016mm的PEN薄膜,重量为1.6毫克。该中间层成型为蜂巢状结构,为球顶主要组成部分,起吸收噪音,并增强球顶强度。且中间层厚度为0.3-0.35mm,该中间层1的上表面通过第一双面胶层2固定有第一铝箔层5,该中间层的下表面通过第二双面胶层3固定有第二铝箔层6,所述第二铝箔层6上设有用于与振膜固定的第三双面胶层4,形成厚度为0.3-0.35mm的球顶结构。

所述第一双面胶层、第二双面胶层、第三双面胶层的厚度为0.005mm,重量0.5毫克,起粘接作用。

所述第一铝箔层和第二铝箔层的厚度为0.006mm。所述第一铝箔层和第二铝箔层采用全硬态镁铝合金7075铝箔,起加强球顶强度作用,重量为1.35毫克。

本实用新型采用球顶材料为带蜂巢状吸音巢结构的复合球顶,此球顶可以有效吸收扬声器系统产生的噪音,使喇叭音质更纯、更柔、更细腻;其此球顶材质更轻,结构强度更大,可以在5.8毫克的重量下达到目前业内15毫克双面铝箔球顶的强度,从而可以使喇叭灵敏度更高,声音更大。

目前,本球顶中间层采用材质为厚度0.016mm的PEN薄膜,经成型为蜂巢状结构,相比传统球顶所使用的发泡,重量轻、强度大、吸收噪音效果好。

扬声器使用此球顶配合硅胶薄膜与TPU复合的膜材所制成的震动膜片,可以使FO达到300-350HZ,单体耐功率0.8W,单体800-1.5KHZ平均SPL达到88-89DB,失真很低。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并不用于限制本实用新型,显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

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