[实用新型]改良的发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201520074722.1 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN204391150U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文正;吴上义 | 申请（专利权）人： | 联京光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改良 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构包括：
透明基板；
光电半导体芯片，具有一出光面与至少二电极，该至少二电极形成于该光电半导体芯片与该透明基板相邻的一面的一相对面，该出光面位于光电半导体芯片与透明基板相邻的该面；
绝缘层，形成于该透明基板上，部分覆盖该至少二电极、该光电半导体芯片与该透明基板；及
至少二金属布线部，分离地形成于该至少二电极上面，且分别与该至少二电极电连接；
其中，该光电半导体芯片发出的光线通过该透明基板而射出。
2.如权利要求1所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明基板以玻璃制成。
3.如权利要求1所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明基板为一长立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
4.如权利要求1所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明基板为一梯形立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
5.如权利要求1所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明基板为一弧面立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
6.如权利要求1所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还具有一隔绝体结构，该隔绝体结构形成于该绝缘层之外，以围绕该光电半导体芯片。
7.如权利要求6所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构具有一透明基板，且该透明基板为一长立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
8.如权利要求6所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构具有一透明基板，该透明基板为一梯形立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
9.如权利要求6所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构具有一透明基板，该透明基板为一弧面立方体，以修改该光电半导体芯片射出的光线的辐射角度。
10.如权利要求6所述的改良的发光二极管封装结构，其特征在于，该隔绝体结构可以下列任一种方式设置于该透明基板上：印刷、点胶与光刻。
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