[实用新型]具有射频补偿结构的射频同轴开关有效
申请号: | 201520074815.4 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN204760511U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州磁明科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/11 | 分类号: | H01P1/11 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215121 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 射频 补偿 结构 同轴开关 | ||
1.一种具有射频补偿结构的射频同轴开关,包括一个射频通道;一对位于射频通道两端的同轴连接器;以及一个推杆组件;所述推杆组件包含一个推杆、一个内导体芯和一个反力弹簧,推杆下端有一个夹层用以夹住内导体芯并使内导体芯能随推杆上下运动;所述推杆在其位于内导体片上方具有一个阶梯结构,其体征在于所述推杆的直径从小变大,从而使所述推杆接触内导体片的部分直径相对较小,而上部直径相对较大;当所述推杆带动所述内导体芯在所述射频通道中向下运动时,所述内导体芯连接所述同轴连接器,并使该射频通道连通;而当所述推杆带动所述内导体芯在所述射频通道中向上运动时,所述内导体芯离开所述同轴连接器,并使该射频通道断开。
2.根据权利要求1所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述推杆的所述阶梯结构由一个斜角过渡形成。
3.根据权利要求1所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述推杆的所述阶梯结构由一个圆角过渡形成。
4.根据权利要求1所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述推杆由绝缘材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述推杆由塑料制成。
6.一种具有射频补偿结构的射频同轴开关,包括一个射频通道;一个推杆组件;以及一对位于射频通道两端的同轴连接器;所述推杆组件包含一个推杆、一个内导体芯和一个反力弹簧,推杆下端有一个夹层用以夹住内导体芯并使内导体芯能随推杆上下运动;所述同轴连接器包含一个内导体芯、上绝缘子、下绝缘子和外壳;当所述推杆带动所述内导体芯在所述射频通道中向下运动时,所述内导体芯连接所述同轴连接器,并使该射频通道连通;而当所述推杆带动所述内导体芯在所述射频通道中向上运动时,所述内导体芯离开所述同轴连接器,并使该射频通道断开。
7.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子和下绝缘子由绝缘材料制成。
8.根据权利要求7所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子和下绝缘子的绝缘材料相对介电常数在1.1至10之间。
9.根据权利要求7所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子的绝缘材料由以下材料之一制成:聚碳酸酯、液晶聚合物、玻璃、聚醚酰亚胺、陶瓷、聚酰胺、聚四氟乙烯。
10.根据权利要求7所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述下绝缘子的绝缘材料由以下材料之一制成:聚碳酸酯、液晶聚合物、玻璃、聚醚酰亚胺、陶瓷、聚酰胺、聚四氟乙烯。
11.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子具有通孔补偿结构。
12.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子具有6个通孔补偿结构。
13.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子的端面具有凹陷补偿结构。
14.根据权利要求13所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器中所述上绝缘子具有6个通孔补偿结构。
15.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器为2.92毫米K-型同轴连接器。
16.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述同轴连接器外壳主体内径为2.92毫米。
17.根据权利要求6所述的一种射频同轴开关,其特征在于所述推杆在其位于内导体片上方具有一个阶梯结构,其体征在于所述推杆的直径从小变大,从而使所述推杆接触内导体片的部分直径相对较小,而上部直径相对较大。
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