[实用新型]硅片表面微颗粒清除装置有效
申请号: | 201520081282.2 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN204614764U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 姚剑 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 033000 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 表面 颗粒 清除 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池片生产过程使用的辅助装置,具体地说是一种硅片表面微颗粒清除装置。
背景技术
常规晶体硅太阳电池工艺流程通常包括如下工艺步骤:制绒→扩散→刻蚀→PECVD→丝网印刷→烧结→测试。
在PECVD工艺段,为追求更高的电池转换效率,管式PECVD的使用愈趋普遍。但在管式PECVD工艺过程,硅片往往处于微颗粒较多的环境中。这些微颗粒的来源通常包括如下几方面:插片过程硅片与石墨舟卡点间的硬性碰撞、等离子体轰击过程引起的硅片表面损伤、冷热循环造成的陶瓷棒损坏等。经PECVD工艺处理,部分硅片表面将不可避免地带有少量微颗粒。在后续丝网印刷过程中,如不预先对硅片表面残留微颗粒进行有效清除,将引起印刷不良、网版崩版、电池片批量隐裂等一系列负面影响,从而导致生产良率下降、制造成本上升。
针对PECVD后硅片表面微颗粒清除,晶体硅太阳电池制造行业中已有部分措施,如在上料前,采用手持式气枪对花篮内的硅片进行来回吹扫;上料过程,在硅片正上方加装吹气装置,对硅片表面进行垂直吹扫等。尽管如此,上述方法均存在明显的弊端。采用手持式气枪吹扫,主要弊端为:气枪压力难以保证,过大的初始气流可能导致电池片瞬间破裂,而过小的气流则不足以对硅片表面微颗粒进行有效清除;与此同时,采用手持气枪的方式在面对堆垛式丝网印刷上料的生产方式束手无策。上料过程表面垂直吹扫模式,因硅片本身很薄,吹扫气流流量将受到明显限制,但气流量如果过小,附着在硅片表面的微颗粒并不能得到清除;此外,垂直吹扫一次只能清除硅片的一个表面,硅片表面附着的微颗粒同样难以去除。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种既能有效清除硅片表面微颗粒,又不致对晶体硅太阳电池生产有负面影响的硅片表面微颗粒清除装置。
为了解决上述技术问题,本实用新型的硅片表面微颗粒清除装置,包括用于输送硅片的输送带以及位于输送带末端的传送转盘,传送转盘上设置有多个沿圆周方向径向排布的卡口,传送转盘的转动能够使其中一个卡口正对输送带,硅片能够在输送带的输送下传送至正对输送带的卡口内,传送转盘的下方设置有能够检测硅片是否送至传送转盘卡口内的光敏传感器,光敏传感器连接PLC控制系统,光敏传感器能够将检测信息传输到PLC控制系统,传送转盘外设置有位于传送转盘上下两侧的吹扫装置,吹扫装置上排布有正对传送转盘的吹气孔,传送转盘和吹扫装置均连接PLC控制系统,PLC控制系统能够控制传送转盘转动,当卡口旋转至吹扫装置之间时,能够使PLC控制系统控制吹扫装置对硅片的正反两面同时进行吹扫。
所述传送转盘安装于丝网印刷上料台的后方。
所述传送转盘包括滚筒和安装在滚筒左右两侧的两个筒形盘体,所述卡口为每个筒形盘体上多个沿径向方向设置的V形断口。
采用上述的结构后,由于设置的带有卡口的传送转盘,位于传送转盘上下两侧的吹扫装置以及能够检测硅片是否送至传送转盘卡口内的光敏传感器和PLC控制系统,由此通过吹扫装置上排布的正对传送转盘的吹气孔对硅片上下对吹,实现了晶体硅太阳电池丝网印刷过程硅片表面残留微颗粒的有效清除,降低了因微颗粒残留而导致的印刷不良、网版崩版、电池片批量隐裂等诸多负面影响,而且不会对硅片本身产生正向压力,不对晶体硅太阳电池生产产生负面影响,从而实现了电池制造生产良率提升、成本下降。
附图说明
图1为本实用新型硅片表面微颗粒清除装置的结构示意图;
图2为本实用新型中传送转盘和吹扫装置布局结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本实用新型的硅片表面微颗粒清 除装置作进一步详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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