[实用新型]一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备有效
申请号: | 201520095442.9 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN204474746U | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 杨昆昆;彭众杰 | 申请(专利权)人: | 烟台首钢磁性材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22 |
代理公司: | 烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 矫智兰 |
地址: | 265500 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 钕铁硼 磁体 镀膜 设备 | ||
1. 一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备,包括真空室(8),其特征在于,所述的真空室(8)中设相互绝缘等距分布的源极(2)和阴极(3),源极(2)和阴极(3)外设置隔热栅(12),真空室(8)上方设阳极(1);阳极(1)和阴极(3)分别接在脉冲偏压电源(9)的正极和负极,阳极(1)和源极(2)分别接在直流偏压电源(10)的正极和负极,且阳极(1)接地;真空室(8)后侧设真空系统(11),真空室(8)的底部设氩气入口(7),真空室(8)的前侧设真空室炉门(4),真空室炉门(4)中部设置有观察窗(5),在真空室(8)外设光学测温仪(6),光学测温仪(6)位置与观察窗(5)对应。
2.根据权利要求1所述的一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备,其特征在于,所述的源极(2)和阴极(3)相互绝缘且平行等距,源极(2)表面与相对应的平行阴极(3)表面的距离为5-200mm。
3.根据权利要求1所述的一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备,其特征在于,所述的源极(2)和阴极(3)的结构为平板式、立式或筒式。
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