[实用新型]FinFET自热效应检测结构

权利要求书

1.一种FinFET自热效应检测结构，其特征在于，包括：形成于一半导体基底上的鳍、横跨所述鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、以及与所述栅极的两端连接的检测焊垫。

2.如权利要求1所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构包括多个部分，所述半导体基底包括对应的多个区域，每部分均包括形成于对应区域上的至少一个鳍、一个横跨所述至少一个鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、以及与所述栅极的两端连接的检测焊垫。

3.如权利要求2所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构每部分的鳍的数量不同。

4.如权利要求2所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构每部分的栅极的关键尺寸不同。

5.如权利要求2所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构每部分的源区和漏区沿该部分的鳍方向的尺寸不同。

6.如权利要求2所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构中至少一个部分还包括位于所述鳍两侧且平行于所述栅极的空置栅极。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构还包括一栅极焊垫，所述栅极焊垫与所述栅极连接，一个检测焊垫位于所述鳍和所述栅极焊垫之间。

8.如权利要求1至6中任意一项所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构还包括形成于所述鳍上的外延层。

9.如权利要求1至6中任意一项所述的FinFET自热效应检测结构，其特征在于，所述FinFET自热效应检测结构还包括形成于所述鳍两侧的隔离结构。