[实用新型]齐纳二极管有效
| 申请号： | 201520102638.6 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204516773U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王春来;操小莉 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦积电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866 |
| 代理公司： | 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518042 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种齐纳二极管，包括半导体衬底，位于所述半导体衬底两端的外延层，位于所述半导体衬底上的低压阱，以及位于所述低压阱上的有源区，其特征在于，所述有源区到所述低压阱的侧壁的距离为0.4-1.2um。
2.如权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于，当所述半导体衬底为P型半导体衬底时，所述外延层为P型外延层，所述低压阱为低压N阱，所述有源区为N+有源区。
3.如权利要求2所述的齐纳二极管，其特征在于，所述N+有源区到所述低压N阱的侧壁的距离为1.2um。
4.如权利要求2或3所述的齐纳二极管，其特征在于，所述低压N阱与所述P型半导体衬底之间设有高压N阱，所述高压N阱的掺杂浓度低于所述低压N阱的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于，当所述半导体衬底为N型半导体衬底时，所述外延层为N型外延层，所述低压阱为低压P阱，所述有源区为P+有源区。
6.如权利要求5所述的齐纳二极管，其特征在于，所述P+有源区到所述低压P阱的侧壁的距离为1.2um。
7.如权利要求5或6所述的齐纳二极管，其特征在于，所述低压P阱与所述N型半导体衬底之间设有高压P阱，所述高压P阱的掺杂浓度低于所述低压P阱的掺杂浓度。
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