[实用新型]电源电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电源技术领域，具体涉及一种应用于存储器的带开关的电源电路。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存)，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。现有存储器中的电源管理电路在保持memory值的工作模式或保值状态下，由电源提供电压VDD，所以在保值状态下，电路产生较大的功耗，此外，当电路输入端电压出现异常时，不能及时有效的控制电压的切断，这样会对电路造成很大危害。

实用新型内容

本实用新型的发明目的是：为了解决现有技术中电路功耗过大及不能对输入电压进行有效控制等以上问题，本实用新型提出了一种电源电路。

本实用新型的技术方案是：一种电源电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一非门、第二非门；所述第一晶体管的漏极作为所述电源电路的输入端，栅极与开关控制端连接，源极分别与第二晶体管的漏极及第三晶体管的漏极连接；所述第二晶体管的栅极与开关控制端连接，源极分别与第四晶体管的源极及第五晶体管的源极连接；所述第三晶体管的漏极还与第二晶体管的漏极连接，源极接地，栅极与第一反相器的输出端连接；所述第一反相器的输入端与开关控制端连接；所述第四晶体管的栅极与第二反相器输出端连接；所述第五晶体管的栅极分别与第四晶体管的漏极、第六晶体管的源极及第七晶体管的漏极连接，漏极与第七晶体管的源极连接；所述第六晶体管的漏极分别与第二反相器的输入端及外部的高电平输出端相连接；所述第七晶体管的栅极分别与外部的低电平输出端及第六晶体管的栅极连接，源极作为所述电源电路的输出端。

进一步地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第七晶体管都为NMOS管。

进一步地，所述第六晶体管为PMOS管。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的电源电路中的开关电路，针对输入端输入正电压或是负电压的情况，都能及时有效的控制电压的传递或切断；同时，采用简单的晶体管及反相器，降低了电路的功耗。

附图说明

图1是本实用新型的电源电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，为本实用新型的电源电路的结构示意图，具体包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一非门、第二非门和控制子电路；所述第一晶体管的漏极作为所述电源电路的输入端，栅极与开关控制端连接，源极分别与第二晶体管的漏极及第三晶体管的漏极连接；所述第二晶体管的栅极与开关控制端连接，源极分别与第四晶体管的源极及第五晶体管的源极连接；所述第三晶体管的漏极还与第二晶体管的漏极连接，源极接地，栅极与第一反相器的输出端连接；所述第一反相器的输入端与开关控制端连接；所述第四晶体管的栅极与第二反相器输出端连接；所述第五晶体管的栅极分别与第四晶体管的漏极、第六晶体管的源极及第七晶体管的漏极连接，漏极与第七晶体管的源极连接；所述第六晶体管的漏极分别与第二反相器的输入端及控制子电路的高电平输出端相连接；所述第七晶体管的栅极分别与控制子电路的低电平输出端及第六晶体管的栅极连接，源极作为所述电源电路的输出端。

这里，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一非门构成开关电路，外部的高电平和低电平具体可以通过单片机实现，也可以通过其它现有的外围控制电路输出实现，在本实施例中，具体通过单片机实现，即通过单片机的A端和B端输出高电平或者低电平来实现对输出电压的控制。