[实用新型]高压静电除尘电源

权利要求书

1.一种高压静电除尘电源，其特征在于，包括MCU、BUCK电路、校准电路、推挽开关电源和倍压整流电路、电压检测电路、电流检测电路、过流保护电路和低压电源电路，所述BUCK电路、校准电路、推挽开关电源和倍压整流电路、电压检测电路、电流检测电路和过流保护电路都与MCU连接，所述推挽开关电源和倍压整流电路还连接到电压检测电路、电流检测电路和过流保护电路，所述BUCK电路还与过流保护电路连接；所述低压电源电路为其他电路提供+5V和12V电源。

2.根据权利要求1所述的高压静电除尘电源，其特征在于，所述推挽开关电源和倍压整流电路包括电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、场效应管MOS1、场效应管MOS2、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、变压器T1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管TVS1和电感L3；所述三极管Q2的基极连接MCU，三极管Q2的集电极连接三极管Q4的基极，三极管Q2的发射极接地；电阻R4一端连接电源+5V，另一端连接三极管Q2的基极；三极管Q4的发射极连接电源12V，集电极连接场效应管MOS1的栅极，电阻R6跨接在三极管Q4的发射极和基极之间；场效应管MOS1的栅极通过电阻R9接地，电阻R11与电阻R9并联；场效应管MOS1的源极连接直流输入端，漏极连接变压器T1的2脚；所述三极管Q3的基极连接MCU，三极管Q3的集电极连接三极管Q5的基极，三极管Q3的发射极接地；电阻R5一端连接电源+5V，另一端连接三极管Q3的基极；三极管Q5的发射极连接电源12V，集电极连接场效应管MOS2的栅极，电阻R7跨接在三极管Q5的发射极和基极之间；场效应管MOS2的栅极通过电阻R8接地，电阻R10与电阻R8并联；场效应管MOS2的源极连接直流输入端，漏极连接变压器T1的5脚；变压器T1的3脚和4脚接地，8脚连接二极管TVS1的正极，7脚连接二极管D1的正极；电容C4跨接在变压器T1的2脚和3脚之间，电容C5跨接在变压器T1的4脚和5脚之间；电阻R13的第一端通过电阻R12连接二极管TVS1的正极，第二端连接二极管TVS1的负极；电容C9和电容C10都与电阻R13并联；电容C11的第一端通过电感L3连接到电阻R13的第一端，电容C11的第二端连接电阻R13的第二端；电容C11的第一端还连接到电流检测电路；电容C11的第二段作为高压静电除尘电源的输出端负极；电阻R13的第一端还连接到过流保护电路；二极管D1的负极通过电容C6连接变压器T1的8脚；二极管D2的正极连接二极管D1的负极，二极管D2的负极连接二极管D3的正极；电容C8的第一端连接二极管D1的负极，第二端连接二极管D3的负极；电容C7的第一端连接二极管D1的正极，第二端连接二极管D2的负极；二极管D3的负极作为高压静电除尘电源的输出端正极；二极管D3的负极还连接到电压检测电路。

3.根据权利要求2所述的高压静电除尘电源，其特征在于，所述过流保护电路包括三极管Q7、电阻R29、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R36、电阻R37、电阻R42、运放U3A和运放U3B；运放U3A的同相输入端通过电阻R37连接推挽开关电源和倍压整流电路，反相输入端通过电阻R36接地，输出端通过电阻R32连接运放U3B的反相输入端；电阻R34跨接在运放U3A的同相输入端和输出端之间；运放U3B的同相输入端通过电阻R31连接电阻R42的第一端，电阻R33一端连接电源+5V，另一端连接电阻R42的第一端，电阻R42的第二端接地；所述三极管Q7的发射极连接电源+5V，集电极连接BUCK电路，基极连接运放U3B的输出端；三极管Q7的集电极还通过电阻R29接地，基极还连接到MCU。