[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201520116083.0 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN204464285U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。
背景技术
如今,随着信息化社会的发展,针对用以显示信息的显示装置的需求正在增加。因此,开发了多种平板显示装置(或FPD)以克服阴极射线管(或CRT)的缺点,例如重量高及体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、等离子显示面板(或PDP)、有机发光显示装置(或OLED)以及电泳显示装置(或ED)。
平板显示装置的显示面板可以包括在以矩阵方式排列的像素区域内设置有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如,液晶显示装置(或LCD)通过利用电场控制液晶层的光透射率以表现视频数据。有机发光二极管显示装置的以矩阵方式设置的每一像素中形成了有机发光二极管,因此有机发光二极管显示装置通过产生正确受控的光以表现视频数据。
作为自发光显示装置,有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高及视角大的优点。利用了能量效率优异的有机发光二极管的有机发光二极管显示装置(或OLED)可分为无源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或PMOLED)和有源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或AMOLED)。
随着个人用电子装置更为普遍,正在积极开发携带性及/或穿戴性的装置。为了将显示装置应用于携带用和/或可穿戴装置中,所述装置具有低消耗功率的特性。然而,利用目前为止开发的技术,在获得低消耗功率特性优异的装置方面存在有限制。
实用新型内容
为了克服上述缺陷,本申请的目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜 晶体管基板,该薄膜晶体管基板在相同的基板上具有至少两种特性彼此不同的薄膜晶体管。本申请的另一目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板具有通过最优化的制造工艺及最少化的掩模工艺来形成的两种不同类型的薄膜晶体管。
为了实现所述目的,本申请提出一种显示装置,包括:第一区域和第二区域;设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;以及氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。
在一实施例中,所述显示装置还包括驱动器,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱动器。
在一实施例中,所述显示装置还包括覆盖所述多晶半导体层的栅极绝缘层。
在一实施例中,所述第一栅极电极和第二栅极电极形成在所述栅极绝缘层上的同一层上。
在一实施例中,所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有机发光二极管的驱动元件。
在一实施例中,所述驱动器包括:输出数据电压的数据驱动器;分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器;以及输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器;其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器和栅极驱动器中的任何一个。
在一实施例中,所述第一源极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分,所述第一漏极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分,所述第二源极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的一部分,所述第二漏极电极接触所述氧化物层 上的氧化物半导体层的另一部分。
在一实施例中,所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有的厚度。
在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层之下。
在一实施例中,所述显示装置还包括在第一区域中设置在氮化物层和第一栅极电极之间的下氧化物层。
在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的