[实用新型]电压最大值采样保持装置

权利要求书

1.电压最大值采样保持装置，其特征在于包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电容、第二NMOS管、第二运算放大器、第一二极管、第三运算放大器、第三NMOS管、第二电容、第四NMOS管、第四运算放大器、第二二极管、第五NMOS管、第三电容和第五运算放大器：

所述第一运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端接所述第一NMOS管的漏极；

所述第一NMOS管的栅极接第一采样控制信号SP1，漏极接所述第一运算放大器的输出端，源极接所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极和所述第二运算放大器的正输入端；

所述第一电容的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二运算放大器的正输入端，另一端接地；

所述第二NMOS管的栅极接清零控制信号CR，漏极接所述第一NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第二运算放大器的正输入端，源极接地；

所述第二运算放大器的正输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，负输入端接所述第一二极管的N极和所述第五NMOS管的漏极，输出端接所述第一二极管的P极；

所述第一二极管的P极接所述第二运算放大器的输出端，N极接所述第二运算放大器的负输入端和所述第五NMOS管的漏极；

所述第三运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端接所述第三NMOS管的漏极；

所述第三NMOS管的栅极接第二采样控制信号SP2，漏极接所述第三运算放大器的输出端，源极接所述第二电容的一端和所述第四NMOS管的漏极和所述第四运算放大器的正输入端；

所述第二电容的一端接所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极和所述第四运算放大器的正输入端，另一端接地；

所述第四NMOS管的栅极接清零控制端信号CR，漏极接所述第三NMOS管的源极和所述第二电容的一端和所述第四运算放大器的正输入端，源极接地；

所述第四运算放大器的正输入端接所述第三NMOS管的源极和所述第二电容的一端和所述第四NMOS管的漏极，负输入端接所述第二二极管的N极和所述第五NMOS管的漏极，输出端接所述第二二极管的P极；

所述第二二极管的P极接所述第四运算放大器的输出端，N极接所述第四运算放大器的负输入端和所述第五NMOS管的漏极；

所述第五NMOS管的栅极接保持控制端HD，漏极接所述第一二极管的N极和所述第二二极管的N极，源极接所述第三电容的一端和所述第五运算放大器的正输入端；

所述第三电容的一端接所述第五NMOS管的源极和所述第五运算放大器的正输入端，另一端接地；

所述第五运算放大器的正输入端接所述第五NMOS管的源极和所述第三电容的一端，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端为整个电路的输出端。