[实用新型]电压采样装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及采样技术，尤其涉及到电压采样装置。

背景技术

对输入电压进行采样并保持，设置了电压采样装置。

发明内容

本实用新型旨在提供一种能对电压进行采样保持的装置。

电压采样装置，包括比较器、电流源I、第一NMOS管、第一电容、第二NMOS管、第三NMOS管、第二电容和运算放大器：

所述比较器的正输入端接输入信号VIN，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电容的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；

所述电流源I的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏极；

所述第一NMOS管的栅极接所述比较器的输出，漏极接所述电流源I的一端，源极接所述比较器的负输入端和所述第一电容的一端；

所述第一电容的一端接所述第一NMOS管的源极和所述比较器的负输入端，另一端接地；

所述比较器、电流源I、第一NMOS管和所述第一电容构成了输入电压采样电路，当所述比较器的正输入端VIN的电压大于负输入端时，输出为高电平，所述第一NMOS管导通，所述电流源I对所述第一电容进行充电，使得电容电压达到所述比较器的正输入端VIN的电压时，所述第一NMOS管关闭，不再对所述第一电容进行充电，这时电容上的电压等于输入电压VIN；

所述第二NMOS管的栅极接控制端CR，漏极接所述第一电容的一端和所述第一NMOS管的源极和所述比较器的负输入端和所述第三NMOS管的漏极，控制端CR为清零控制信号；

当控制端CR为高电平时，所述第二NMOS管导通，使得所述第一电容上的电荷通过所述第二NMOS管流到地，也即是对所述第一电容进行清零处理；

所述第三NMOS管的栅极接控制端HD，漏极接所述第一NMOS管的源极和所述比较器的负输入端和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第二电容的一端和所述运算放大器的正输入端，控制端HD为电压保持控制信号；

所述第二电容的一端接所述第三NMOS管的源极和所述运算放大器的正输入端，另一端接地；

当控制端HD为高电平时，所述第一电容上采样的电压传递到所述第二电容直到等于输入电压VIN；

所述运算放大器的正输入端接所述第三NMOS管的源极和所述第二电容的一端，负输入端和输出端接在一起构成跟随器。

附图说明

图1为本实用新型的电压采样装置的电路图。

图2为本实用新型的保持控制信号和清零控制信号的时序图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

电压采样装置，如图1所示，包括比较器101、电流源I、第一NMOS管102、第一电容103、第二NMOS管104、第三NMOS管105、第二电容106和运算放大器107：

所述比较器101的正输入端接输入信号VIN，负输入端接所述第一NMOS管102的源极和所述第一电容103的一端，输出端接所述第一NMOS管102的栅极；

所述电流源I的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管102的漏极；

所述第一NMOS管102的栅极接所述比较器101的输出，漏极接所述电流源I的一端，源极接所述比较器101的负输入端和所述第一电容103的一端；

所述第一电容103的一端接所述第一NMOS管102的源极和所述比较器101的负输入端，另一端接地；

所述比较器101、电流源I、第一NMOS管102和所述第一电容103构成了输入电压采样电路，当所述比较器101的正输入端VIN的电压大于负输入端时，输出为高电平，所述第一NMOS管102导通，所述电流源I对所述第一电容103进行充电，使得电容电压达到所述比较器101的正输入端VIN的电压时，所述第一NMOS管102关闭，不再对所述第一电容103进行充电，这时电容上的电压等于输入电压VIN；

所述第二NMOS管104的栅极接控制端CR，漏极接所述第一电容103的一端和所述第一NMOS管102的源极和所述比较器101的负输入端和所述第三NMOS管105的漏极，控制端CR为清零控制信号；

当控制端CR为高电平时，所述第二NMOS管104导通，使得所述第一电容103上的电荷通过所述第二NMOS管104流到地，也即是对所述第一电容103进行清零处理；