[实用新型]一种矢量相加移相器中的增益控制电路

权利要求书

1.一种模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征在于，包括：电流源负载模块(400)，偏置模块(402)，反馈调节模块(401)，核心控制模块(403)。

2. 根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路,其特征是：所述反馈调节模块包括：PMOS晶体管M₃与PMOS晶体管M₄,电阻R_b；PMOS晶体管M₃的源极与电源连接，漏极与PMOS晶体管M₄的栅极和电阻R_b连接，栅极与PMOS晶体管M₄的源极与所述电流源负载模块连接；PMOS晶体管M₄的漏极与核心控制模块(403)连接。

3.根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述电流源负载模块包括：PMOS晶体管M₁与PMOS晶体管M₂，电阻R_a；M₁的栅极与M₂的栅极连接，M₁与M₂的源极连接电源，M₂的漏极与反馈调节模块(401)连接，M₁的栅极与漏极连接，电阻R_a一端与M1的漏极连接，另外一端连接偏置电压。

4.根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路,其特征是：所述核心控制模块包括：两个PMOS晶体管M₅与M₆，两个NMOS晶体管M₇与M₈；M₅与M₆的源极与反馈调节模块连接，M₅的栅极与控制电压连接，M₆的栅极与偏置模块连接；M₅与M₇的漏极连接，M₆与M₈的漏极连接；M₇的漏极与栅极连接，M₇的源极接地；M₈的漏极与栅极连接，M₈的源极接地；M₇与M₈的栅极电压为矢量幅值控制电压。

5.根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述偏置模块包括连接在电源与地之间的两个串联电阻，两个电阻中间的节点与所述核心控制模块的M₆的栅极连接。