[实用新型]提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构

权利要求书

1.一种提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于包括具有斜坡的沙丘，具有斜坡的沙丘包括坡底、坡顶和坡中，在坡顶有第一种植区，在第一种植区种植有梭梭，在坡中自上而下沿着坡度方向间隔种植有不少于两排的梭梭，在第一种植区外侧的坡顶上植入有第一秸秆墙，在每排梭梭的至少一侧的坡中上植入有坡中秸秆墙，在第一秸秆墙的地面以下埋设有自控温加热装置，在坡中秸秆墙的地面以下埋设有自控温加热装置。

2.根据权利要求1所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于第一秸秆墙的地面以下埋设有滴灌带，坡中秸秆墙的地面以下埋设有滴灌带，滴灌带与供水装置连接在一起，滴灌带的埋设深度为0.3米至0.5米。

3.根据权利要求2所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于坡中秸秆墙包括第二秸秆墙和第三秸秆墙，在坡中每一排梭梭上方的坡中植入第二秸秆墙，在坡中每一排梭梭下方的坡中植入第三秸秆墙，在种植有梭梭的两相邻的第二秸秆墙与第三秸秆墙之间的地面以下埋设有自控温加热装置，第二秸秆墙与距离最近的一排梭梭的距离为0.5米至1米，第三秸秆墙与距离最近的一排梭梭的距离为0.5米至1米，第一秸秆墙、第二秸秆墙和第三秸秆墙植入地下的深度均为0.1米至0.2米，第一秸秆墙、第二秸秆墙和第三秸秆墙在地面以上的高度为0.2米至0.5米；或者，在坡中每一棵梭梭的外侧的坡中均植入有坡中秸秆墙，坡中秸秆墙植入地下的深度均为0.1米至0.2米，坡中秸秆墙在地面以上的高度为0.2米至0.5米，坡中秸秆墙与被包围的梭梭之间的距离为0.5米至1米；或/和，第一种植区与第一秸秆墙的距离为0.5米至1米；或/和，自控温加热装置的埋设深度为0.3米至0.5米。

4.根据权利要求3所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于第二秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有自控温加热装置，自控温加热装置与第二秸秆墙的距离为0.1米至0.2米，第二秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有滴灌带，滴灌带与第二秸秆墙的距离为0.1米至0.2米；或/和，第三秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有自控温加热装置，自控温加热装置与第三秸秆墙的距离为0.1米至0.2米，在第三秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有滴灌带，滴灌带与第三秸秆墙的距离为0.1米至0.2米。

5.根据权利要求3或4所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于第二秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有滴灌带，滴灌带与第二秸秆墙的距离为0.1米至0.2米；或/和，第三秸秆墙与距离最近的一排梭梭之间的地面以下埋设有滴灌带，滴灌带与第三秸秆墙的距离为0.1米至0.2米。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于自控温加热装置包括自控温加热带和无滴漏孔的滴灌管，自控温加热带穿入无滴漏孔的滴灌管内；或/和，位于同一水平线上相邻的梭梭之间植入有秸秆加强墙；或/和，第一秸秆墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的第一秸秆墙，坡中秸秆墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的坡中秸秆墙；或/和，自控温加热装置电连接有供电装置。

7.根据权利要求5所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于自控温加热装置包括自控温加热带和无滴漏孔的滴灌管，自控温加热带穿入无滴漏孔的滴灌管内；或/和，位于同一水平线上相邻的梭梭之间植入有秸秆加强墙；或/和，第一秸秆墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的第一秸秆墙，坡中秸秆墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的坡中秸秆墙；或/和，自控温加热装置电连接有供电装置。

8.根据权利要求6所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于供电装置为光伏太阳能电池板；或/和，秸秆加强墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的秸秆加强墙；或/和，秸秆加强墙植入地下的深度均为0.1米至0.2米，秸秆加强墙在地面以上的高度为0.2米至0.5米。

9.根据权利要求7所述的提高无灌溉梭梭种植区雪融水入渗率的结构，其特征在于供电装置为光伏太阳能电池板；或/和，秸秆加强墙为由棉花秸秆、小麦秸秆、芦苇秸秆和水稻秸秆中的一种以上制成的秸秆加强墙；或/和，秸秆加强墙植入地下的深度均为0.1米至0.2米，秸秆加强墙在地面以上的高度为0.2米至0.5米。