[实用新型]一种不对称深度微沟槽电极有效
| 申请号： | 201520130919.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN204584482U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 谢晋;司贤海;鲁艳军;吴鸿沛;徐伟胜;王小乾 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B23H1/04 | 分类号： | B23H1/04;B23H9/14 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥;江间开 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 不对称 深度 沟槽 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种不对称深度微沟槽电极，其特征在于，在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽，微沟槽在整个圆周上呈左右对称，上下为不对称分布，微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势，其中最上面微沟槽为第一微沟槽，第一微沟槽的深度h1最浅，从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽，微沟槽的沟槽深度变化规律为：hn＝h(n‐1)+D/m，其中h(n‐1)为电极表面第n‐1条微沟槽的深度，hn为第n条微沟槽的深度，n的取值范围为1<n<30，D为电极的外径，m是一个正实数，取值范围为50<m<80；电极的中心设有通气孔，通气孔的直径为0.1～2.5毫米；所述微沟槽的表面涂有绝缘涂层。
2.根据权利要求1所述的不对称深度微沟槽电极，其特征在于，所述微沟槽的V形结构两侧面的夹角为45～60度。
3.根据权利要求1所述的不对称深度微沟槽电极，其特征在于，所述第一微沟槽的深度h1为0.01毫米。
4.根据权利要求1所述的不对称深度微沟槽电极，其特征在于，所述电极的材料为紫铜。
5.根据权利要求1所述的不对称深度微沟槽电极，其特征在于，所述微沟槽的深度为10～300微米。
6.根据权利要求1所述的不对称深度微沟槽电极，其特征在于，所述绝缘涂层的厚度为0.006～0.01毫米，绝缘涂层的材料为芳基聚酰亚胺。
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