[实用新型]一种改进的双能CT成像装置有效
申请号: | 201520131450.4 | 申请日: | 2015-03-06 |
公开(公告)号: | CN204422781U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 李保磊;张耀军;张萍宇;莫阳;李斌 | 申请(专利权)人: | 公安部第一研究所;北京中盾安民分析技术有限公司 |
主分类号: | G01V5/00 | 分类号: | G01V5/00;G01N23/087 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 李奎书 |
地址: | 100048*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进 ct 成像 装置 | ||
1.一种改进的双能CT成像装置,其特征在于,包括射线源、射线源控制器、旋转机构、运动控制器、单层探测器、金属过滤片、数据采集控制器、主控制计算机,所述主控制计算机分别与射线源控制器、运动控制器、数据采集控制器相连,所述射线源控制器与所述射线源相连,所述运动控制器与所述旋转机构相连,所述数据采集控制器与所述单层探测器相连,所述单层探测器包括左半部分和右半部分,所述金属过滤片位于所述单层探测器的右半部分与所述射线源之间且与所述单层探测器的右半部分互相平行。
2.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述单层探测器的左半部分包括低能探元和第一数据采集电路板,所述单层探测器的右半部分包括高能探元和第二数据采集电路板。
3.根据权利要求2所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述低能探元包括低能晶体和第一二极管,所述高能探元包括高能晶体和第二二极管。
4.根据权利要求2所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述第一数据采集电路板和第二数据采集电路板均与所述数据采集控制器相连。
5.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述高能晶体比低能晶体厚,所述高能晶体和低能晶体为闪烁晶体Gd2O2S、CsI、CdWO4中的任一种。
6.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述单层探测器的左半部分和右半部分的分界线位于所述射线源的中心射束经过旋转机构的旋转中心的直线上。
7.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述金属过滤片在所述射线源的射线的投影下覆盖所述单层探测器的右半部分。
8.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述旋转机构为转台或带有滑环的机架。
9.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像装置,其特征在于,所述单层探测器为直线型或弧型,所述单层探测器的布置方式为线阵或面阵。
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