[实用新型]记忆卡的外壳结构有效

专利信息
申请号: 201520131870.2 申请日: 2015-03-09
公开(公告)号: CN204515816U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 罗郁南 申请(专利权)人: 晨州塑胶工业股份有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 中国台湾台中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 记忆 外壳 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型有关于一种记忆卡,特别是指一种记忆卡外壳的结构改良者。

背景技术

现有的记忆卡外壳结构请参阅图1所示,其由一上壳板11及一下壳板12结合而成,而记忆卡芯片13则容设于该上壳板11及该下壳板12间;其中,更详细地说,该上壳板11及该下壳板12于其各自的结合面上分别具有相对应的一上结合环肋部111及一下结合环肋部121;结合时,透过胶合黏接该上结合环肋部111及该下结合环肋部121。

然而,请参阅图1所示,现有记忆卡的外壳结构并无额外的对准或校正机制,因此在结合时,非常容易有如图中所示,上壳板11与下壳板12的结合有些许误差的情况发生,虽然此误差并不一定会影响记忆卡的使用,但却会导致各个记忆卡的外观轮廓大小不一致的情况发生;因此,如何避免此种误差的产生,为相关业者亟欲改善的问题所在。

实用新型内容

本实用新型提供一种记忆卡的外壳结构,其主要目的是改良记忆卡的外壳结构,以使记忆卡在结合后的外观轮廓大小一致。

为达前述目的,本实用新型提供一种记忆卡的外壳结构,包含:一外框件,具有一承置底面,该承置底面的周缘朝该承置底面的同一侧延伸成型有一限位墙,该外框件于该限位墙的内侧并形成有一结构墙,该结构墙的高度较该限位墙的高度低,使该限位墙与该结构墙间形成有一容置空间;以及一罩盖件,容置结合于该容置空间内,该罩盖件与该外框件间形成有一芯片容置部,该芯片容置部用以供记忆卡的芯片容置固定。

其中,该罩盖件嵌设结合于该容置空间内。

其中,该限位墙具有一内侧面,该结构墙具有一顶端面,该容置空间由该限位墙的内侧面及该结构墙的顶端面所围设而成,该罩盖件以一结合面朝向该外框件而结合于该容置空间内。

其中,该结构墙的顶端面形成有一沟槽,该罩盖件的结合面则相对于该沟槽处成型有一凸柱,当该罩盖件结合于该容置空间内时,该凸柱嵌设于该沟槽内。

其中,其特征是:该外框件的承置底面上开设有多个个芯片读取开口。

其中,该承置底面的内侧面更成型有一挡墙部,以配合记忆卡的芯片大小缩小该芯片容置部的大小。

本实用新型利用所提供的记忆卡的外壳结构,可以获得的功效在于:藉由于记忆卡的外框件的周缘成型限位墙,并于限位墙的内侧形成结构墙,使该限位墙与该结构墙间形成有一容置空间,而将记忆卡的罩盖件结合于该容置空间内,因此,本实用新型的记忆卡的整体大小必定为该外框件的周缘的大小,藉此达到使记忆卡的外观轮廓大小均能一致的目的。

有关本实用新型为达成上述目的,所采用的技术、手段及其他的功效,兹举一较佳可行实施例并配合图式详细说明如后。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:

图1是现有的记忆卡外壳结构的剖视图。

图2是本实用新型实施例的立体分解图。

图3是本实用新型实施例的立体外观图。

图4是本实用新型实施例的剖视图。

附图标记说明

上壳板11            上结合环肋部111

下壳板12            下结合环肋部121

记忆卡芯片13

外框件20             承置底面21

芯片读取开口22       限位墙23

结构墙24             沟槽241

容置空间25           挡墙部26

罩盖件30             芯片容置部31

凸柱32

芯片70

具体实施方式

在本新型被详细描述之前,要注意的是在以下的说明内容中,类似的组件是以相同的编号来表示。

本实用新型记忆卡的外壳结构的较佳实施例如图2至图4所示,包含:一外框件20以及一罩盖件30,该外壳结构用以供记忆卡的芯片70容置,其中:

该外框件20具有一承置底面21,该承置底面21上开设有多个个芯片读取开口22,该承置底面21的周缘朝该承置底面21的同一侧延伸成型有一限位墙23,该限位墙23具有一内侧面,该外框件20于该限位墙23的内侧并形成有一结构墙24,该结构墙24具有一顶端面,该结构墙24的高度较该限位墙23的高度低,使该限位墙23与该结构墙24间形成有一容置空间25,更详细地说,该容置空间25由该限位墙23的内侧面及该结构墙24的顶端面所围设而成,于此实施例中,该结构墙24的顶端面系形成有一沟槽241;

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